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J-GLOBAL ID：201702247979460763   整理番号：17A0617566

抵抗ランダムアクセスメモリ応用のための埋め込みCoPt_xナノ結晶をもつ原子層蒸着酸化物ナノ複合材料構造

Atomic Layer Deposited Oxide-Based Nanocomposite Structures with Embedded CoPt_x Nanocrystals for Resistive Random Access Memory Applications

著者 (8件)： WANG Lai-Guo (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  WANG Lai-Guo (Anqing Normal Univ., Anhui, CHN) ,  CAO Zheng-Yi (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  QIAN Xu (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  ZHU Lin (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  CUI Da-Peng (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  LI Ai-Dong (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  WU Di (Nanjing Univ., Nanjing, CHN)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 7  ページ： 6634-6643  発行年： 2017年02月22日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,TiN被覆Si基板上の埋め込みCoPtxナノ結晶をもつAl₂O₃またはHfO₂に基づくナノ複合材料構造を熱原子層蒸着とプラズマ増強ALDの組合せにより抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)応用のために調整した。抵抗スイッチング特性に対するCoPt_x NCとそれらのサイズ/密度の影響を調べた。CoPt_x NCの無い対照試料と比較して,ALD導出Pt/酸化物/CoPt_x NC/TiN/SiO₂/SiはRRAMパラメータの典型的なバイポーラ,信頼性,および再現性抵抗スイッチング挙動を示し,小さいセット/リセット電圧,OFF/ON状態の安定な抵抗比(≧10²),10⁴サイクルまでの良いスイッチング,および10⁵s以上の長いデータ保持を示した。CoPt_x NCの挿入はその増強電界強度により伝導性フィラメントの形成を有効に改良した。この優れたスイッチング性能に加えて,このナノ複合材料構造は強磁性も示した。

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  *ナノ結晶 ,  *コバルト ,  *白金 ,  *ナノ複合材料 ,  *化学蒸着 ,  被覆 ,  埋込み【挿入】 ,  *酸化ハフニウム ,  *酸化アルミニウム ,  サイズ効果 ,  密度依存性 ,  バイポーラ集積回路 ,  強磁性
準シソーラス用語： Si基板 ,  *原子層蒸着 ,  窒化チタン ,  抵抗スイッチング ,  *抵抗ランダムアクセスメモリ

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  金属の結晶成長  (BK13030M)

タイトルに関連する用語 (7件)： 抵抗ランダムアクセスメモリ ,  応用 ,  埋め込み ,  ナノ結晶 ,  原子層蒸着 ,  酸化物 ,  ナノ複合材料