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J-GLOBAL ID：201702248047914295   整理番号：17A1712364

BaPb_0 77Bi_0 23 0 3 δ化合物における磁束ピン止め特性【Powered by NICT】

Flux pinning properties in BaPb_0.77Bi_0.23O 3 - δ compound

著者 (9件)： Yin Peihuan (Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Yin Peihuan (Center for Superconducting Physics and Materials, National Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Xiao Renfei (Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Xu Xiaochun (Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Duan Tianfeng (Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Duan Tianfeng (Center for Superconducting Physics and Materials, National Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Wang Zhihe (Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Wang Zhihe (Center for Superconducting Physics and Materials, National Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Wang Zhihe (Collaborative Innovation Center for Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
資料名： Physica C. Superconductivity and Its Applications  (Physica C. Superconductivity and Its Applications)
巻： 542  ページ： 23-27  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0580A  ISSN： 0921-4534  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BaPb_0 0.77Bi_0 23零三 δ化合物の超伝導特性を2~14Kの輸送と磁化測定により試験した。種々の磁場でのR-T曲線はMgB_2超伝導体のそれに類似していた。常伝導状態抵抗Arrhenius則と有効磁束ピン止めエネルギーの磁場依存性に従うの10%以下の抵抗の温度依存性は指数関数的挙動,U e f(U(0)exp( 0.48 H)を示した。2KまでH-T線はべき乗則,Hc(T)∝(1 T/T c)nを示した。磁束ピン止め力の磁場依存性は結晶粒内と界に由来する二つのピークを示した。Fp=Ah p(1 h)q,Dew-Hughesモデルのスケーリング結果は試料中の磁束ピン止めは正常表面と点中心の集団ピン止めであることを示唆する。臨界電流密度の磁場依存性は低磁場領域におけるべき乗則速度プロファイルと高磁場領域では,Jc=Jc0exp( β H),指数関数的挙動を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ピン止め ,  臨界電流密度 ,  超伝導 ,  磁化特性測定 ,  *磁束ピン止め ,  常伝導 ,  指数関数 ,  結晶粒 ,  温度依存性 ,  強磁場 ,  磁場 ,  超伝導体 ,  弱磁場
準シソーラス用語： べき乗則 ,  磁場依存性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： BaPb_0 77Bi_0 23 0 3 δ化合物 ,  有効磁束ピン止めエネルギー ,  臨界電流密度

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (1件)： 磁束ピン止め