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J-GLOBAL ID:201702248062225859   整理番号:17A1455187

異なるガスを用いたGaAs光電陰極のNEA表面活性化【Powered by NICT】

NEA surface activation of GaAs photocathode with different gases
著者 (4件):
資料名:
巻: 664  ページ: 65-69  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0129B  ISSN: 0039-6028  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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GaAs光電陰極は,90%まで高度に分極した電子ビームと極端に小さなエミッタンスビームを生成することができるユニークな装置である。光電子放出はIR(赤外Red)と可視光で可能であり,量子効率は20%以上であることができた。これらのユニークな特徴は,CsとO_2/NF_3の吸着によって作製した負電子親和性(NEA)表面に依存するが,この表面は残留ガス吸着,イオン逆衝撃などにより容易に損傷する。NEA表面の正確な構造は知られていない,はいくつかの仮説がある。本研究では,著者らはCO_2,CO,N_2,O_2ガスと清浄化したGaAs表面上のNEA活性化を行い,結果を比較したNEA表面に関する著者らの理解を改善した。CO_2とNEA活性化はO_2のものと類似していることを見出したが,最大QE値はO_2より有意に低かった。も全くN_2とCOガスはNEA活性化に寄与しないことを見出した。CO_2活性化を解析することにより,原子状酸素はNEA表面を活性化し,COはNEA表面を劣化させることが分かった。は原子状酸素のNEA活性化能はO_2分子のそれのほとんど半分であることを見出した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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物理的手法を用いた吸着の研究 
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