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J-GLOBAL ID：201702248161227151   整理番号：17A1020053

転位伝搬後のAlGaN/AlN歪層超格子による4インチSi(111)基板上に成長させたGaN層でのa型転位の間の反応の観察【Powered by NICT】

Observation of reaction between a-type dislocations in GaN layer grown on 4-in. Si(111) substrate with AlGaN/AlN strained layer superlattice after dislocation propagation

著者 (7件)： Sugawara Yoshihiro (Japan Fine Ceramics Center, 456-8587, Japan) ,  Ishikawa Yukari (Japan Fine Ceramics Center, 456-8587, Japan) ,  Watanabe Arata (Research Center for Nano Devices and Advanced Materials, Nagoya Institute of Technology, 466-8555, Japan) ,  Miyoshi Makoto (Research Center for Nano Devices and Advanced Materials, Nagoya Institute of Technology, 466-8555, Japan) ,  Miyoshi Makoto (Innovation Center for Multi-Business of Nitride Semiconductors, Nagoya Institute of Technology, 466-8555, Japan) ,  Egawa Takashi (Research Center for Nano Devices and Advanced Materials, Nagoya Institute of Technology, 466-8555, Japan) ,  Egawa Takashi (Innovation Center for Multi-Business of Nitride Semiconductors, Nagoya Institute of Technology, 466-8555, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 468  ページ： 536-540  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4インチ上に成長させたGaN層中の転位反応。AlGaN/AlN歪層超格子を持つSi(111)を透過型電子顕微鏡で観察した。転位セグメント(b=1/3[21 1 0])を形成する転位(b=1/3[12 10])と他の転位(b=1/3[112 0])間の反応は,弱ビーム暗視野と大角収束ビーム電子回折法を用いた平面観察によって明らかにした。観測された反応は,エピタキシャル成長と転位伝搬後の転位運動で生じた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： エピタクシー ,  透過型電子顕微鏡 ,  *窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  *歪層超格子 ,  転位反応 ,  電子回折
準シソーラス用語： 転位運動 ,  暗視野 ,  *シリコン(111) ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A1欠陥 ,  A1線欠陥 ,  A3化学蒸着過程 ,  B1ガリウム化合物 ,  B1窒化物半導体 ,  B2ガリウム化合物

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： 転位 ,  伝搬 ,  AlGaN ,  AlN ,  歪層超格子 ,  Si ,  成長 ,  GaN ,  観察