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J-GLOBAL ID：201702248215053781   整理番号：17A1077315

自己電荷補償スクッテルダイトSe_yCo₄Sb_12-xSe_xの化合物欠陥および熱電特性

Compound Defects and Thermoelectric Properties of Self-Charge Compensated Skutterudites Se_yCo₄Sb_12-xSe_x

著者 (6件)： WAN Shun (Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  WAN Shun (Univ. Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  HUANG Xiangyang (Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  QIU Pengfei (Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  SHI Xun (Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  CHEN Lidong (Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 27  ページ： 22713-22724  発行年： 2017年07月12日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 融解/アニーリングおよびプラズマシンタリング法により,SeがCoSb₃の2種の異なるサイト(空孔およびSbサイト)を占めるスクッテルダイトSe_yCo₄Sb_12-xSe_xを製造した。粉末X線回折,走査電子顕微鏡,エネルギー分散X線分光分析,示差走査熱量測定によりキャラクタリゼーションを行った。電気伝導率,熱伝導率およびSeebeck係数を測定した。Se含有量がバンドギャップにおよぼす影響は小さく,低キャリア濃度の半導体性が観測された。Se_0.2Co₄Sb_11.6Se_0.4は低い格子熱伝導率2.1W/mKを示した。比較的高いSeebeck係数をキャリア散乱により説明した。性能指数zTは0.4(600K)であり,高圧法により製造したSe添加スクッテルダイトと同等であった。

シソーラス用語： *セレン化物 ,  *セレン化合物 ,  *コバルト化合物 ,  *アンチモン化物 ,  *融解 ,  アニーリング【現象】 ,  *放電プラズマ焼結 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  示差走査熱量測定 ,  電気伝導率 ,  熱伝導率 ,  輸送係数 ,  バンドギャップ ,  キャリア密度 ,  半導体 ,  キャリア散乱 ,  性能指数 ,  *熱電材料 ,  *結晶成長
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  キャリア濃度 ,  *スクッテルダイト型結晶 ,  プラズマ焼結 ,  粉末X線回折

分類 (4件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  比熱・熱伝導一般  (BL05021E) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 自己 ,  電荷補償 ,  スクッテルダイト ,  欠陥 ,  熱電特性