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J-GLOBAL ID：201702248217855161   整理番号：17A0946020

MOVPE法を用いたSiナノチップ上に選択成長させたGaAsナノ結晶の構造と光学特性

Structural and optical characterization of GaAs nano-crystals selectively grown on Si nano-tips by MOVPE

著者 (14件)： SKIBITZKI Oliver (IHP, Oder, DEU) ,  PRIETO Ivan (ETH Zuerich, Zuerich, CHE) ,  PRIETO Ivan (Empa-Swiss Federal Lab. for Materials Sci. and Technol., Duebendorf, CHE) ,  KOZAK Roksolana (Empa-Swiss Federal Lab. for Materials Sci. and Technol., Duebendorf, CHE) ,  CAPELLINI Giovanni (IHP, Oder, DEU) ,  CAPELLINI Giovanni (Universita Roma Tre, Rome, ITA) ,  ZAUMSEIL Peter (IHP, Oder, DEU) ,  DASILVA Yadira Arroyo Rojas (Empa-Swiss Federal Lab. for Materials Sci. and Technol., Duebendorf, CHE) ,  ROSSELL Marta D (Empa-Swiss Federal Lab. for Materials Sci. and Technol., Duebendorf, CHE) ,  ERNI Rolf (Empa-Swiss Federal Lab. for Materials Sci. and Technol., Duebendorf, CHE) ,  KAENEL Hans von (ETH Zuerich, Zuerich, CHE) ,  KAENEL Hans von (Empa-Swiss Federal Lab. for Materials Sci. and Technol., Duebendorf, CHE) ,  SCHROEDER Thomas (IHP, Oder, DEU) ,  SCHROEDER Thomas (Brandenburgische Technische Univ., Cottbus, DEU)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 13  ページ： 135301,1-10  発行年： 2017年03月31日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ナノチップ(NT)上のナノヘテロエピタクシー(NHE)法をGaAsの成長に適用した。相補型金属酸化物半導体(CMOS)技術に適合するプロセスを用いて製造されたナノパターン化シリコン(001)基板上にガリウムヒ素(GaAs)のナノヘテロエピタキシャル成長を報告する。ヘテロ構造は,Si上のGaAsの選択的有機金属気相成長(MOVPE)を用いて得られる。GaAsナノ結晶(NC)の選択成長はMOVPEにより570°Cで達成された。成長したナノヘテロ構造の詳細な構造および欠陥評価を,走査透過型電子顕微鏡(STEM),X線回折,マイクロラマンおよびマイクロ光ルミネセンス(μ-PL)分光法を用いて行った。SiO2マスク型圧縮歪SiNTによって単結晶のほぼ緩和したGaAsNCをSTEM像は示す。GaAs/Si界面領域に特に位置する少数の成長欠陥(例えば積層欠陥,マイクロ/ナノ双晶など)が観察されたとしても,μ-PL分光法によって観測されるように,ナノヘテロ構造は強い発光を示した。

シソーラス用語： *MOCVD ,  ケイ素 ,  チップ ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *ナノ結晶 ,  半導体薄膜 ,  *ヘテロエピタクシー ,  基板 ,  パターン形成 ,  電子技術 ,  *選択成長 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  *光ルミネセンス ,  顕微Raman分光法 ,  *表面欠陥
準シソーラス用語： ナノチップ ,  ナノヘテロエピタクシー ,  CMOS技術 ,  走査透過型電子顕微鏡 ,  *マイクロ光ルミネセンス

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： MOVPE ,  Si ,  ナノチップ ,  選択成長 ,  GaAs ,  ナノ結晶 ,  光学特性