文献

J-GLOBAL ID：201702248285011837   整理番号：17A1720906

非晶質FeGaSiB薄膜の磁気特性に及ぼすAr圧力の影響【Powered by NICT】

Influence of Ar Pressure on the Magnetic Properties of Amorphous FeGaSiB Thin Films

著者 (4件)： Abbas Qayes A. (Department of Materials Science and Engineering, University of Sheffield, Sheffield, U.K.) ,  Morley Nicola A. (Department of Materials Science and Engineering, University of Sheffield, Sheffield, U.K.) ,  Johansson August (School of Computer Science, University of Manchester, Manchester, U.K.) ,  Thomson Thomas (School of Computer Science, University of Manchester, Manchester, U.K.)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 53  号： 11  ページ： ROMBUNNO.2502504.1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 50nm厚磁歪非晶質FeSiBとFeGaSiB薄膜はAr圧力(4~8 μbar)のCoスパッタリング蒸発法で成長させた膜内のGa比率を制御し,磁気的,構造的,および磁気ひずみ特性に及ぼすそれらの効果を研究した。X線回折により,すべての膜が非晶質構造を持ち,のみピークはSi基板の存在することが分かった。磁気光学Kerr効果磁力計を用いて,FeSiB膜に対して,異方性磁場(H_k)は徐々に増加し圧力が増加するとことが分かった,一方,FeGaSiB膜に対して,飽和磁場(H_s)は全ての圧力≒4000。膜集合の両方に対して,保磁力(H_c)は800以下であった。FeSiB薄膜の磁歪定数(λ_s)は圧力の増加と共に増加した。がFeGaSiB膜に対しては,磁歪定数は最も低い圧力4 μbarでスパッタリングガス圧,最大λ_s=11.4ppm,の増加とともに減少した。,Ga原子の添加は膜内の固有応力を減少させることを決定し,非晶質形態を維持した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ガリウム ,  磁歪 ,  *非晶質 ,  保磁力 ,  Kerr効果 ,  蒸発 ,  *磁気 ,  磁力計 ,  X線回折 ,  異方性磁場 ,  *アルゴン ,  *薄膜 ,  スパッタリング
準シソーラス用語： 磁気光学 ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 非晶質 ,  薄膜 ,  磁気特性 ,  Ar