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J-GLOBAL ID：201702248304900955   整理番号：17A1736554

和周波を用いる作動中の有機電界効果トランジスタの半導体/絶縁体界面の研究

Sum-Frequency Spectroscopic Study at the Semiconductor/Insulator Interface of Organic Filed Effect Transistors During Operation

著者 (4件)： YANG Haiya (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), JPN) ,  SATO Tomoya (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), JPN) ,  MIYASHITA Masato (Res. Assoc. of High-Throughput Design and Dev. for Advanced Functional Materials (Hi-Mat), JPN) ,  MIYAMAE Takayuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), JPN)
資料名： 分子科学討論会講演プログラム&要旨(Web)  (Program & Abstract. Annual Meeting of Japan Society for Molecular Science (Web))
巻： 11th  ページ： ROMBUNNO.1P048 (WEB ONLY)  発行年： 2017年 
JST資料番号： U0350A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  *和周波数発生 ,  境界 ,  蓄積 ,  偏光
準シソーラス用語： キャリア蓄積 ,  *OFET ,  *半導体-絶縁体境界

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  非線形光学  (BD05000T)

物質索引 (1件)： C₈-BTBT

タイトルに関連する用語 (4件)： 有機電界効果トランジスタ ,  絶縁体 ,  界面 ,  研究