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J-GLOBAL ID：201702248320523681   整理番号：17A0889845

シリコン・オン・インシュレータ技術に基づくシリコンフォトニック中赤外回折格子結合器【Powered by NICT】

Silicon photonic mid-infrared grating coupler based on silicon-on-insulator technology

著者 (3件)： Gad Michael (Faculty of Engineering, Ain Shams University, Cairo, Egypt) ,  Zaki Aya (Faculty of Engineering, Ain Shams University, Cairo, Egypt) ,  Sabry Yasser M. (Faculty of Engineering, Ain Shams University, Cairo, Egypt)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NRSC  ページ： 400-406  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン・オン・インシュレータ集積光学ガスセンサ回路への中赤外光の結合を可能にするために提案した新しい垂直格子結合器の設計と最適化。標的波長は約3100nmであり,アセチレンガスと炭化水素の群は強い吸収を有している。格子結合器寸法は限界大学間マイクロエレクトロニクスセンター(IMEC)によるシリカ上のシリコンの標準および低コスト製造技術に従って最適化した。設計シミュレーションは,中赤外における2Dおよび3D有限差分時間領域シミュレーションを用いて行った。最適化した結合効率は約10%であることが判明し,結合器の3dB帯域幅は,格子充填因子に依存して約160nmであった。報告された帯域幅はガスセンシング応用と互換性があるCopyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ガスセンサ ,  二酸化ケイ素 ,  *SOI構造 ,  互換性 ,  シミュレーション ,  最適化 ,  *結合器 ,  *ケイ素 ,  三次元 ,  波長 ,  帯域幅 ,  集積光学
準シソーラス用語： 充填率 ,  結合効率 ,  *格子結合器 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  その他の光伝送素子  (BD06040S)

タイトルに関連する用語 (2件)： シリコン・オン・インシュレータ技術 ,  回折格子結合器