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J-GLOBAL ID：201702248355932030   整理番号：17A0883513

化学気相蒸着により成長させた結晶粒サイズと配向勾配を持つ円形グラフェンプレートレット【Powered by NICT】

Circular Graphene Platelets with Grain Size and Orientation Gradients Grown by Chemical Vapor Deposition

著者 (15件)： Xin Xing (Shenyang National Laboratory for Materials Science, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang, 110016, P. R. China) ,  Fei Zeyuan (Shenyang National Laboratory for Materials Science, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang, 110016, P. R. China) ,  Fei Zeyuan (School of Material Science and Engineering, University of Science and Technology of China, Anhui, 230026, P. R. China) ,  Ma Teng (Shenyang National Laboratory for Materials Science, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang, 110016, P. R. China) ,  Chen Long (Shenyang National Laboratory for Materials Science, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang, 110016, P. R. China) ,  Chen Mao-Lin (Shenyang National Laboratory for Materials Science, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang, 110016, P. R. China) ,  Chen Mao-Lin (School of Material Science and Engineering, University of Science and Technology of China, Anhui, 230026, P. R. China) ,  Xu Chuan (Shenyang National Laboratory for Materials Science, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang, 110016, P. R. China) ,  Qian Xitang (Shenyang National Laboratory for Materials Science, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang, 110016, P. R. China) ,  Qian Xitang (School of Material Science and Engineering, University of Science and Technology of China, Anhui, 230026, P. R. China) ,  Sun Dong-Ming (Shenyang National Laboratory for Materials Science, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang, 110016, P. R. China) ,  Ma Xiu-Liang (Shenyang National Laboratory for Materials Science, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang, 110016, P. R. China) ,  Cheng Hui-Ming (Shenyang National Laboratory for Materials Science, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang, 110016, P. R. China) ,  Cheng Hui-Ming (Tsinghua-Berkeley Shenzhen Institute (TBSI), Tsinghua University, 1001 Xueyuan Road, Shenzhen, 518055, China) ,  Ren Wencai (Shenyang National Laboratory for Materials Science, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang, 110016, P. R. China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 16  ページ： ROMBUNNO.201605451  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半径方向における結晶粒構造勾配を持つ単分子層円形グラフェン小板は,非混和性W-Cu基板上に化学蒸着により合成した。Cuと炭化タングステン上のグラフェンの異なる相互作用と成長挙動のために,そのような基質はグラフェン成長におけるCuと炭化タングステン間の競合による結晶粒サイズと方位勾配の形成を引き起こす。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 相互作用 ,  *結晶粒 ,  化学蒸着 ,  *蒸着 ,  基質 ,  単分子層 ,  銅 ,  *結晶粒径 ,  *グラフェン ,  炭化タングステン ,  半径方向
準シソーラス用語： 非混和性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2D材料 ,  化学蒸着 ,  粒構造勾配 ,  グラフェン ,  基板

分類 (2件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  固-気界面一般  (CB12041H)

タイトルに関連する用語 (7件)： 化学 ,  気相蒸着 ,  成長 ,  結晶粒サイズ ,  配向 ,  勾配 ,  円形