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J-GLOBAL ID：201702248380601788   整理番号：17A1445769

熱酸化NiとMoS_2ヘテロ構造の一様な光応答【Powered by NICT】

Uniform photoresponse in thermally oxidized Ni and MoS₂ heterostructures

著者 (9件)： Luo Wei (College of Science, National University of Defense Technology, Changsha 410073, P.R. China) ,  Luo Wei (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, P.R. China) ,  Peng Gang (College of Science, National University of Defense Technology, Changsha 410073, P.R. China) ,  Wang Fei (College of Science, National University of Defense Technology, Changsha 410073, P.R. China) ,  Miao Feng (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, P.R. China) ,  Zhang Xue-Ao (College of Science, National University of Defense Technology, Changsha 410073, P.R. China) ,  Zhang Xue-Ao (State Key Laboratory of High Performance Computing, National University of Defense Technology, Changsha 410073, P.R. China) ,  Qin Shiqiao (College of Science, National University of Defense Technology, Changsha 410073, P.R. China) ,  Qin Shiqiao (State Key Laboratory of High Performance Computing, National University of Defense Technology, Changsha 410073, P.R. China)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 9  ページ： ROMBUNNO.201700151  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常ヘテロ構造の重複領域で発生する不均一光電流と,その応用範囲は,デバイス光応答の空間的一様性問題により妨げられるかもしれない。,ほぼ熱的に酸化したNiと二硫化モリブデン(MoS_2)ヘテロ構造の重複領域での均一な光応答が得られた。更なる特性化は数ナノメータNiは酸化過程で膜の表面に形成されたNiO_x層下で正しくであることを明らかにした。高導電性底Ni層状MoS_2/NiO_x/Niに基づいたヘテロ構造は532nmで1.4%の外部量子効率(EQE)と高い均一な光応答を示した。さらに,複数のデバイスの統合の成功は,高度に統合された均一な光検出器のためのこのような構造の大きな優先を示唆した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  光電流 ,  *熱酸化 ,  光検出器 ,  *酸化 ,  *ニッケル ,  導電性
準シソーラス用語： 外部量子効率 ,  ナノメータ ,  二硫化モリブデン ,  *光応答 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ゲート可変同調 ,  MoS2 ,  MoS2/NiOx/Niヘテロ構造 ,  熱酸化Ni ,  均一光応答

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 熱酸化 ,  Ni ,  ヘテロ構造 ,  光応答