文献

J-GLOBAL ID：201702248392100181   整理番号：17A1345155

AlGaN/GaNH EMTのハードスイッチング中のホットエレクトロン効果の証拠【Powered by NICT】

Evidence of Hot-Electron Effects During Hard Switching of AlGaN/GaN HEMTs

著者 (9件)： Rossetto I. (Department of Information Engineering, University of Padua, Padua, Italy) ,  Meneghini M. (Department of Information Engineering, University of Padua, Padua, Italy) ,  Tajalli A. (Department of Information Engineering, University of Padua, Padua, Italy) ,  Dalcanale S. (Department of Information Engineering, University of Padua, Padua, Italy) ,  De Santi C. (Department of Information Engineering, University of Padua, Padua, Italy) ,  Moens P. (ON Semiconductor, Oudenaarde, Belgium) ,  Banerjee A. (ON Semiconductor, Oudenaarde, Belgium) ,  Zanoni E. (Department of Information Engineering, University of Padua, Padua, Italy) ,  Meneghesso G. (Department of Information Engineering, University of Padua, Padua, Italy)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 9  ページ： 3734-3739  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの動的オン抵抗に対するソフトとハードスイッチング条件の影響について報告した。本研究では,特殊な二重パルス装置,ドレインおよびゲート波形(ソフトとハードスイッチングを誘導する)の重なりを制御することを用い,オン抵抗,ドレイン電流,及びエレクトロルミネセンス(EL)に及ぼす対応する影響を測定した。結果は,それらがV_DS=600Vまでソフトスイッチングを行った場合に,解析した装置は動的R_ON増加の影響を受けないことを実証した。これに反して,ハードスイッチング条件を動的オン抵抗(動的R_ON)における測定可能な増加をもたらした。ハードスイッチングにより誘起される動的R_ONの増加は,ホットエレクトロン効果に起因した:各スイッチング事象中の,チャネル中の電子は,高電場によって加速され,続いてAlGaN/GaNヘテロ構造におけるまたは表面で捕捉された。この仮説は以下の結果により支持される1)R_ONの増加はハードスイッチング条件下で測定したEL信号と相関し,2)動的R_ONにハードスイッチングの影響を高温レベルで弱くなる,ホットエレクトロンの平均エネルギーは格子を持つ増加散乱により減少した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： HEMT ,  高温 ,  チャネル ,  散乱 ,  エレクトロルミネセンス ,  オン抵抗 ,  ソフトスイッチング ,  *ホットエレクトロン ,  パルス ,  *スイッチング
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  高電場 ,  ドレイン電流 ,  *AlGaN/GaN ,  *ハードスイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  EMT ,  ハードスイッチング ,  ホットエレクトロン ,  証拠