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J-GLOBAL ID:201702248414867285   整理番号:17A0887462

CdTe/MgxCd_I xTeヘテロ界面における超低界面再結合速度(~1 cm/s)【Powered by NICT】

Ultralow Interface Recombination Velocity (~1 cm/s) at CdTe/MgxCd ${}_{1¥hbox{-}}$xTe Heterointerface
著者 (6件):
資料名:
巻:号:ページ: 913-918  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2305A  ISSN: 2156-3381  CODEN: IJPEG8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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CdTe/Mg_xCd_1-xTe二重ヘテロ構造(DH)における界面での界面再結合速度(IRV)を,時間分解光ルミネセンスを用いて研究した。熱電子放出とトンネル効果の両方があるいはMg_x Cd_1- xZnxTe障壁を通る,低障壁ポテンシャルまたは薄い障壁厚さによる光生成キャリア損失を引き起こす可能性があることが分かった。キャリア寿命測定は有効IRVのみを明らかにした。熱電子放出誘起された界面再結合を,温度依存キャリア寿命測定を行うことにより区別することができ,トンネル誘起IRVは異なった障壁厚さの試料を比較することによって定量化することができる。熱電子放出とトンネル効果の両方を抑制あるいは除去されたとき,実際のIRV(DH界面トラップ状態での再結合に起因する)は~1cm/sであると測定され,DHで達成された3.6μsの非常に長いキャリア寿命であった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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太陽電池 
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