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J-GLOBAL ID：201702248423295439   整理番号：17A0364710

CH_3NH_3PbI_3/ペンタセン界面でのエネルギー準位整列【Powered by NICT】

The energy level alignment at the CH₃NH₃PbI₃/pentacene interface

著者 (12件)： Ji Gengwu (Shanghai Synchrotron Radiation Facility, Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201204, China) ,  Ji Gengwu (University of Chinese Academy of Science, Beijing 100049, China) ,  Zhao Bin (Shanghai Synchrotron Radiation Facility, Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201204, China) ,  Song Fei (Shanghai Synchrotron Radiation Facility, Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201204, China) ,  Zheng Guanhaojie (Shanghai Synchrotron Radiation Facility, Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201204, China) ,  Zheng Guanhaojie (University of Chinese Academy of Science, Beijing 100049, China) ,  Zhang Xiaonan (Shanghai Synchrotron Radiation Facility, Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201204, China) ,  Zhang Xiaonan (University of Chinese Academy of Science, Beijing 100049, China) ,  Shen Kongchao (Department of Physics, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) ,  Yang Yingguo (Shanghai Synchrotron Radiation Facility, Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201204, China) ,  Chen Shi (Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, 21 Nanyang Link, Singapore 637371, Singapore) ,  Gao Xingyu (Shanghai Synchrotron Radiation Facility, Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201204, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 393  ページ： 417-421  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CH_3NH_3PbI_3上のペンタセン薄膜を,その場X線光電子分光法と紫外光電子分光法により研究した界面エネルギー準位整列を決定することであった。0.1eVの界面双極子と一緒に曲げ0.2eV下方バンドはペンタセン側で見られたが,CH_3NH_3PbI_3側では見られなかっバンド曲げである。CH_3NH_3PbI_3価電子帯最大(VBM)とペンタセンの最高被占分子軌道(HOMO)間のオフセットとCH_3NH_3PbI_3伝導帯最小(CBM)とペンタセン最低非占有分子軌道(LUMO)間では0.7および1.35eVであった。この界面でのバンド整列は,効率的な正孔移動が,ペロブスカイト太陽電池において探求されるべき実行可能なHTL候補としてペンタセンを示唆している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 価電子バンド ,  *エネルギー準位 ,  分子軌道 ,  X線光電子分光法 ,  HOMO ,  *アラインメント ,  LUMO ,  オフセット ,  正孔 ,  *界面 ,  伝導バンド ,  太陽電池 ,  界面双極子 ,  UPS【電子分光】 ,  ポリアセン

著者キーワード (3件)： ペロブスカイト太陽電池 ,  界面電子構造 ,  エネルギー準位整列

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (4件)： ペンタセン ,  界面 ,  エネルギー準位 ,  整列