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J-GLOBAL ID：201702248454826708   整理番号：17A0389296

NiFeを挿入したテクスチャ構造ZnO薄膜における低誘電損失を持つ誘電体増強【Powered by NICT】

Dielectric enhancement with low dielectric loss in textured ZnO films inserted with NiFe

著者 (2件)： Chi Po-Wei (Institute of Manufacturing Technology and Department of Mechanical Engineering, National Taipei University of Technology (TAIPEI TECH), Taipei 10608, Taiwan. [e-mail]) ,  Wei Da-Hua
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 6  ページ： 1394-1401  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 組織化ZnO/NiFe/ZnOヘテロ構造膜の誘電特性はZnO膜中への二金属NiFe挿入層を適用することにより実証した。高品質結晶性ZnO(002)組織化膜が蒸着された,約12の誘電率値,室温で確認しdisplaid。15MHz,室温での誘電特性の測定から,10nm NiFe挿入層を持つ堆積したままのZnO/NiFe/ZnOヘテロ構造は67%の大きな同調性と0.032の極低誘電損失を持つ優れた誘電特性を持っていることを明らかにした。純粋なZnO薄膜またはtradditionallyをドープしたZnO膜のそれと比較した場合,ZnO膜に挿入した単一のNiFe層は,後処理なしで堆積したままのヘテロ構造の誘電特性を著しく改善することができる。この現象は絶縁体の間に発生する応力効果と空間電荷または界面分極と組み合わせたZnOとNiFe層の間に強い界面電荷の再分布に起因し,金属領域はヘテロ構造における本質的に偏析した。さらに,外部磁場誘起誘電変化を明確に観察でき,NiFe層を挿入したZnO膜は効果的誘電同調率を示した。本研究では,ZnO/NiFe/ZnOヘテロ構造の誘電特性と磁気特性は二金属NiFe厚さと外部磁場,磁気誘電アクチュエータ/センサデバイスへの新しい応用のための貴重な多機能挙動を提供できるによって効果的に制御できることを示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  空間電荷 ,  アクチュエータ ,  後処理 ,  誘電率 ,  *誘電損失 ,  偏析 ,  絶縁材料 ,  誘電性 ,  外部磁場 ,  界面 ,  結晶度 ,  電荷 ,  ドーピング ,  絶縁体
準シソーラス用語： ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： テクスチャ ,  ZnO薄膜 ,  低誘電 ,  損失 ,  誘電体 ,  増強