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J-GLOBAL ID：201702248467060412   整理番号：17A1567863

CBRAMにおけるBEOL互換TiN障壁層を導入することによる装置信頼性の改善【Powered by NICT】

Improvement of Device Reliability by Introducing a BEOL-Compatible TiN Barrier Layer in CBRAM

著者 (12件)： Cao Rongrong (Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Liu Sen (College of Electronic Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha, China) ,  Liu Qi (Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Zhao Xiaolong (Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Wang Wei (College of Electronic Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha, China) ,  Zhang Xumeng (Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Wu Facai (Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Wu Quantan (Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Wang Yan (Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Lv Hangbing (Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Long Shibing (Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Liu Ming (Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 10  ページ： 1371-1374  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フィラメント成長現象により誘起された負のSET挙動は導電性ブリッジランダムアクセスメモリ(CBRAM)におけるリセット破壊現象への主要な責任を持つ。CBRAMデバイスにおける予期しない負のSET挙動は重大な信頼性問題をもたらし,大量生産への道に障害となっている。本短報において,筆者らはフィラメント成長現象と負のSET挙動を除去することによりCBRAMデバイスにおけるデバイス信頼性を改善するために,バックエンドオブライン(BEOL)適合TiN障壁層を提案した。高いリセット電圧は,より完全なリセット過程を達成し,優れた抵抗スイッチング性能を得るためにTiN障壁層デバイスに適用することができる。結果は,一つのトランジスタ構造を持つCu/HfO_2/TiN/Ru素子は優れた包括的な記憶特性,高信頼性,高スイッチング速度,高抵抗状態の均一性,高耐久性,長い保持,およびマルチレベル貯蔵能力を持つことを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 耐久性 ,  大量生産 ,  記憶特性 ,  *信頼性 ,  フィラメント ,  導電性 ,  トランジスタ
準シソーラス用語： マルチレベル ,  スイッチング速度 ,  高信頼性 ,  抵抗スイッチング ,  リセット電圧 ,  *バリア層 ,  *窒化チタン ,  *BEOL , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： CBRAM ,  BEOL ,  TiN ,  障壁層