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J-GLOBAL ID:201702248545850867   整理番号:17A0969363

FeドープCeO_2固溶体置換部位ドーピングと格子間位置ドーピング,バルクドーピングと表面ドーピング【Powered by NICT】

Fe-doped CeO2 solid solutions: Substituting-site doping versus interstitial-site doping, bulk doping versus surface doping
著者 (4件):
資料名:
巻: 414  ページ: 131-139  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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遷移金属イオンドーピングCeO_2立方晶蛍石はその酸化還元挙動,酸素貯蔵能及び触媒性能を効果的に改善できるが,促進効果の基本的理解は,ドーパントの分布を決定することの困難のために不十分である。ここでは,X線吸収分光法及び選択的化学吸着を結合することによってこのドーパント分布を決定するための効果的なアプローチを実証した。立方晶Ce_xFe_1 xO_2蛍石固溶体(x≧0.70)を共沈法で調製した。Ce_xFe_1 xO_2におけるFeモル比の増加と共に,より多くのFe~3+が存在するFe~3+は初期には,Ce~4+を置換するおよび/または間質サイトを占有するx≧0.80で,蛍石型格子におけるサブFe_2O_3構造を形成するために移動一方,Fe~3+ドーピングはまず,x≧0.96のバルクでのみ生じ,その後0.87≦x<0.96の表面へ拡張した。低焼成温度は立方晶Ce_xFe_1 xO_2固溶体のバルク中のFe~3+のドーピングを容易にした。これらの結果は,それらの特性の基本的な理解のために非常に重要であることを分子レベルでCe_xFe_1 xO_2蛍石固溶体の構造を明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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酸化物薄膜  ,  その他の触媒 

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