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J-GLOBAL ID:201702248562438236   整理番号:17A1720999

TbCo膜中のCo副格子のフェムト秒レーザ誘起磁化反転領域【Powered by NICT】

Femtosecond Laser-Induced Magnetization Reversal Domain of Co-Sublattice in TbCo Film
著者 (8件):
資料名:
巻: 53  号: 11  ページ: ROMBUNNO.4301205.1-5  発行年: 2017年 
JST資料番号: A0339B  ISSN: 0018-9464  CODEN: IEMGAQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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全光学的スイッチング(AOS)は,将来の超高密度磁気記録のための超高速磁化反転を操作するためのフェムト秒レーザを用いた新たな記録技術である。TbCo膜はフェリ磁性構造と大きな垂直異方性を持ち,従って,AOSのための有望な材料となっている。本論文では,一般的な理論的枠組みを用いた100fsパルスレーザでTbCo膜のCo副格子の超高速磁化反転ドメインをシミュレートし,シミュレーション結果は,より高いパワーフルエンスレーザを照射したTbCo膜はより高いピーク温度に起因するCo副格子の大きな反転領域と電子のさらなる臨界等温線を持つことを示した。さらに,高Co含有量がCo副格子は大きな反転ドメインを形成するのを助けることができるが,おそらくTb原子とCo原子間の不十分な反強磁性相互作用に起因する高度に均一な反転領域を得るためにできない。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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磁性材料 
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