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J-GLOBAL ID：201702248591041707   整理番号：17A0403051

高性能温度感受性WドープVO_2(B)薄膜と第一原理計算によるその同定【Powered by NICT】

High-performance thermal sensitive W-doped VO₂(B) thin film and its identification by first-principles calculations

著者 (9件)： Wan Dongyun (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Xiong Ping (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Chen Lanli (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Shi Siqi (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Shi Siqi (Materials Genome Institute, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Ishaq Ahmad (National Center for Physics, Quaid-I-Azam University, Islamabad 44000, Pakistan) ,  Luo Hongjie (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Luo Hongjie (Materials Genome Institute, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Gao Yanfeng (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 397  ページ： 30-39  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： VO_2(B)はボロメータ材料が,低抵抗温度係数(TCR)値と大きな抵抗に難渋するとして現在応用のための優先相構造。はドープと比ドープの両VO_2(B)薄膜の広く使用されているマグネトロンスパッタリング法を用いて制御されたWドーピングによる高TCR( 3.9%/k)と適切なシート抵抗(32.7kΩ)を達成することを可能にする実験と第一原理計算研究を提示した。TCR値は同様な抵抗で報告されたものよりも50%大きかった。性能改善のための基本的な微視的機構を研究し,結果は,過剰電子の導入とVO_2(B)結晶格子におけるW~6+イオンの取り込みに由来するバンド構造の変化は,電子伝導率の向上に寄与することを示した。さらに,単斜晶系(C2/m)B相VO_2の特殊な二次元八面体構造は大きなTCR,M期VO_2におけるドーパントにより発生した高伝導率と大きなTCR間の類似の苦境を克服することを達成するためのWドーピングによる歪制御に有利であった。本知見は熱光電センシングデバイスへの広い応用のための優れた光学的および電気的特性を高性能WドープVO_2(B)薄膜の設計と作製のための容易で簡単な方法を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ボロメータ ,  八面体 ,  *ドーピング ,  単斜晶系 ,  *薄膜 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *第一原理 ,  ドーパント ,  二次元 ,  シート抵抗 ,  *温度感受性
準シソーラス用語： 伝導率 ,  電子伝導率 ,  抵抗温度係数 ,  *第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： VO_2(B)薄膜 ,  タングステンドーピング ,  非冷却赤外線(IR)検出器 ,  第一原理研究

分類 (2件)： 吸着の電子論  (CB12042Y) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高性能 ,  温度感受性 ,  ドープ ,  薄膜 ,  第一原理計算 ,  同定