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J-GLOBAL ID：201702248604817424   整理番号：17A0013782

階層型SnO₂ナノフラワーロッド配列の合成,成長機構と光ルミネセンス特性: 実験および第一原理研究

Synthesis, growth mechanism, and photoluminescence property of hierarchical SnO2 nanoflower-rod arrays: an experimental and first principles study

著者 (8件)： Xu Manzhang (School of Information Science and Technology, Northwest University, Xi’an, People’s Republic of China) ,  Ruan Xiongfei (School of Information Science and Technology, Northwest University, Xi’an, People’s Republic of China) ,  Yan Junfeng (School of Information Science and Technology, Northwest University, Xi’an, People’s Republic of China) ,  Zhang Zhiyong (School of Information Science and Technology, Northwest University, Xi’an, People’s Republic of China) ,  Yun Jiangni (School of Information Science and Technology, Northwest University, Xi’an, People’s Republic of China) ,  Zhao Wu (School of Information Science and Technology, Northwest University, Xi’an, People’s Republic of China) ,  Li Ting (School of Information Science and Technology, Northwest University, Xi’an, People’s Republic of China) ,  Shi Yufei (School of Information Science and Technology, Northwest University, Xi’an, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Materials Science  (Journal of Materials Science)
巻： 51  号： 21  ページ： 9613-9624  発行年： 2016年11月 
JST資料番号： B0722A  ISSN： 0022-2461  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 階層的SnO₂ナノフラワーで覆われた直立SnO₂ナノロッド配列を直接水熱法を介して酸化インジウムスズ(ITO)基板上に成長させた。対応する成長メカニズムを反応時間に沿って調べた。ITO基板は種層の役割を果たし,SnO₂ナノフラワーロッド配列(NFRAs)の核形成を支配し,水熱反応でSnO₂結晶核形成を促進しナノロッド配列をもたらした。得られたSnO₂ NFRAs構造の光ルミネセンス(PL)スペクトルは酸素空孔(V_O)が発光の主な理由であることを明らかにした。V_Oと発光の関係をよりよく理解するために第1原理研究を行った。密度汎関数理論(DFT)に基づく計算結果はSnO₂ NFRAs構造における3種類の荷電状態のV_Oのエネルギー準位(バンドギャップのV_O⁰状態,V_O⁺状態,V_O²⁺状態のイオン化エネルギーがそれぞれ0.15,2.84および3.15eVである)を示し,これはPLスペクトルと一致した。Copyright 2016 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化スズ ,  *ナノロッド ,  配列 ,  *階層構造 ,  水熱合成 ,  *光ルミネセンス ,  第一原理 ,  基板 ,  酸化インジウムスズ ,  反応時間 ,  核形成 ,  空格子点 ,  発光 ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ ,  イオン化ポテンシャル ,  スペクトル ,  化合物半導体 ,  結晶成長 ,  ITO基板 ,  二酸化スズ ,  ナノロッドアレイ ,  ワイドギャップ半導体 ,  酸素空格子点
準シソーラス用語： PLスペクトル ,  ナノフラワー ,  ナノロッド配列 ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  酸素空孔 ,  成長機構

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (9件)： 階層 ,  SnO2 ,  ナノフラワー ,  ロッド ,  成長 ,  光ルミネセンス ,  実験 ,  第一原理 ,  研究