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J-GLOBAL ID：201702248618521539   整理番号：17A1650301

GaNH EMTメタ材料に基づくテラヘルツ波位相変調器【Powered by NICT】

Terahertz wave phase modulator based on GaN HEMT-Metamaterial

著者 (5件)： Zhao Yuncheng (Terahertz Science Cooperative Innovation Center, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China) ,  Zhang Yaxin (Terahertz Science Cooperative Innovation Center, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China) ,  Liang Shixiong (National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit, Hebei Semiconductor Research Institute, Shijiazhuang, 050051, China) ,  Feng Zhihong (National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit, Hebei Semiconductor Research Institute, Shijiazhuang, 050051, China) ,  Yang Ziqiang (Terahertz Science Cooperative Innovation Center, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IRMMW-THz  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,THz波の効率的な位相変調は活性と増強された共鳴GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)アレイメタマテリアルで対応可能であることを示した。は伝統的な双極子およびインダクタンス-キャパシタンス共鳴を結合した増強された共鳴メタ材料構造を用いたテラヘルツ波の大きな位相シフトを利用した。HEMTアレイにおける2次元電子ガス(2DEG)のキャリア分布と空乏化の電気的に制御することにより,構造中の増強された共鳴モードの共鳴強度と表面電流回路シミュレーションでは150°C以上の位相シフトを実現する操作動的であることができる。動的実験では,130度の位相シフトはTHz透過モードで数ボルトのみ外部電圧で達成できる。さらに,100°以上位相変調は20GHz帯域幅を得ることができた。この概念はTHzアプリケーションシステムにおける迅速で効率的な位相変調器を開発するための有望な方法を提供する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： インダクタンス ,  静電容量 ,  帯域幅 ,  二次元電子ガス ,  表面電流 ,  共鳴 ,  HEMT ,  *位相変調 ,  回路シミュレーション ,  *テラヘルツ波 ,  位相シフト ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： 共振モード ,  *位相変調器 ,  *メタマテリアル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (4件)： EMT ,  メタ材料 ,  テラヘルツ波 ,  位相変調器