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J-GLOBAL ID：201702248646675268   整理番号：17A1355355

フェリ磁性(Mn_1 xCo_x)_2Valフルホイスラーエピタキシャル薄膜の磁気的性質【Powered by NICT】

Magnetic properties of ferrimagnetic (Mn_1-xCo_x)₂VAl full-Heusler epitaxial thin films

著者 (3件)： Fukuda K. (Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Oogane M. (Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Ando Y. (Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： INTERMAG  ページ： 1  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半金属フェリ磁性体は高スピン分極と低磁化のためにスピン注入の理想的な源として多くの科学者,スピントロニクス素子における小さなエネルギー消費を実現できるを集めている,磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *磁気的性質 ,  磁化 ,  エネルギー消費 ,  半金属 ,  *フェリ磁性 ,  フェリ磁性体 ,  *薄膜 ,  スピン分極
準シソーラス用語： スピントロニクス素子 ,  スピン注入 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  磁電デバイス  (NC03100X) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (3件)： フェリ磁性 ,  薄膜 ,  磁気的性質