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J-GLOBAL ID：201702248683751614   整理番号：17A1720595

化学蒸着グラフェンの伝達の進歩:レビュー【Powered by NICT】

Advances in transferring chemical vapour deposition graphene: a review

著者 (4件)： Chen Mingguang (Department of Chemical and Environmental Engineering, University of California, Riverside, California 92521, USA. [e-mail]) ,  Haddon Robert C. ,  Yan Ruoxue ,  Bekyarova Elena
資料名： Materials Horizons  (Materials Horizons)
巻： 4  号： 6  ページ： 1054-1063  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2467A  ISSN： 2051-6355  CODEN： MHAOAL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンの独特の二次元構造と優れた電子的,熱的,及び機械的性質は様々な分野の科学者と技術者の関心を集めている。グラフェンの優れた特性を実用化への第一段階は,大面積,連続したグラフェン膜の調製である。化学蒸着(CVD)グラフェンはますます注目を集めており,高品質の大面積で,均一でそして連続的膜へのアクセスを提供するからである。しかし,現在のCVD合成法はグラフェンの成長を触媒する金属基板(CuまたはNi)を利用し,関心のある基板へのグラフェン膜の成長後の移動はエレクトロニクス,フォトニクス,スピントロニクスなどの大部分の応用に重要である。ここでは,成長状態のCVDグラフェン標的基質への移動における最近の進歩を議論した。ターゲット基板上に堆積したCVDグラフェンを生成する方法は,三種類のカテゴリー:支持層と移動,支持層を持たないトランスファ,ターゲット基板上に直接成長下で要約した。現在最初の二群は,場を支配し,支持層の選択を微細化に向けた研究努力。原子的に薄いグラフェン表面との直接接触を有し,その特性に影響し,転写されたグラフェンの品質を決定するために支持層は転写プロセスで重要な役割を果たしている。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  精密化 ,  スピントロニクス ,  触媒 ,  品質 ,  銅 ,  機械的性質 ,  *グラフェン ,  支持層 ,  ニッケル
準シソーラス用語： フォトニクス ,  金属基板 ,  高品質 ,  大面積 ,  二次元構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (3件)： 化学蒸着 ,  グラフェン ,  レビュー