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J-GLOBAL ID：201702248685565205   整理番号：17A1506403

付加レーザ照明による容量-電圧測定によって支援されたInGaN多重量子井戸太陽電池の比較研究【Powered by NICT】

Comparative study on the InGaN multiple-quantum-well solar cells assisted by capacitance-voltage measurement with additional laser illumination

著者 (17件)： Liu Wei (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Liu Wei (Engineering Research Center of New Energy Storage Devices and Applications, Chongqing University of Arts and Sciences, Chongqing, 402160, China) ,  Zhao Degang (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Zhao Degang (School of Electronic, Electrical and Communication Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Jiang Desheng (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Chen Ping (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Shi Dongping (Engineering Research Center of New Energy Storage Devices and Applications, Chongqing University of Arts and Sciences, Chongqing, 402160, China) ,  Liu Zongshun (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Zhu Jianjun (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Yang Jing (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Li Xiang (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Liang Feng (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Liu Shuangtao (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Xing Yao (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Zhang Liqun (Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, 215125, China) ,  Li Mo (Microsystem & Terahertz Research Center, Chinese Academy of Engineering Physics, Chengdu, 610200, China) ,  Zhang Jian (Microsystem & Terahertz Research Center, Chinese Academy of Engineering Physics, Chengdu, 610200, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 725  ページ： 1130-1135  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： がほぼ同じスペクトル応答範囲を持つ,異なるQWパラメータを持つ二InGaN/GaN多重量子井戸(MQW)太陽電池の光起電力特性に関する研究を,容量-電圧(C V)測定によって支援される。レーザ支援C-V法とX線逆空間マッピング測定に基づいて,厚い井戸層と低いIn含有量をもつInGaN量子井戸から成る太陽電池の強化された外部量子効率は,低い有効ポテンシャル障壁高さ,より大きな体積と良好な材料品質に帰することができるが分かった。添加では,InGaN MQW太陽電池のための,InGaN井戸層の厚さの適切な増加は長波長領域へのスペクトル応答を拡大する良い選択であるかもしれないことを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 品質 ,  光起電力 ,  *多重化 ,  *窒化ガリウム ,  *レーザ ,  *電圧 ,  *インジウム ,  *多重量子井戸 ,  *照明 ,  *量子井戸 ,  *太陽電池
準シソーラス用語： 障壁高さ ,  外部量子効率 ,  スペクトル応答 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： InGaN太陽電池 ,  多重量子井戸 ,  容量-電圧測定 ,  キャリア濃度

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： レーザ ,  照明 ,  電圧測定 ,  支援 ,  InGaN ,  多重量子井戸 ,  太陽電池 ,  研究