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J-GLOBAL ID：201702248759755557   整理番号：17A1536375

薄膜成長の原子論モデルにおける反応経路

Reaction pathways in atomistic models of thin film growth

著者 (6件)： Lloyd Adam L. (Department of Mathematical Sciences, Loughborough University, Loughborough LE11 3TU, United Kingdom) ,  Zhou Ying (Department of Mathematical Sciences, Loughborough University, Loughborough LE11 3TU, United Kingdom) ,  Yu Miao (Department of Mathematical Sciences, Loughborough University, Loughborough LE11 3TU, United Kingdom) ,  Scott Chris (Department of Mathematical Sciences, Loughborough University, Loughborough LE11 3TU, United Kingdom) ,  Smith Roger (Department of Mathematical Sciences, Loughborough University, Loughborough LE11 3TU, United Kingdom) ,  Kenny Steven D. (Department of Materials, Loughborough University, Loughborough LE11 3TU, United Kingdom)
資料名： Journal of Chemical Physics  (Journal of Chemical Physics)
巻： 147  号： 15  ページ： 152719-152719-8  発行年： 2017年10月21日 
JST資料番号： C0275A  ISSN： 0021-9606  CODEN： JCPSA6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜成長の基礎をなす原子論的プロセスは,しばしば,基板表面上または表面近傍の原子または原子群の複雑な多原子運動を伴う。これらの遷移とその経路は,しばしば事前に予測することが困難である。適応的動態モンテカルロ(AKMC)アプローチを用いることにより,成長プロセスを理解し最終的に制御できるように,多くの複雑な機構を特定することができる。ここではAKMC技術を簡単に説明し,例えば遷移障壁が小さい場合にシミュレーションを高速化できる特別な適応も併せて説明した。特に金属および金属酸化物の成長に対して種々の材料系で生じるこの複雑なプロセスの例を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  *原子モデル ,  *反応経路 ,  シミュレーション ,  分子動力学 ,  酸化亜鉛 ,  障壁 ,  銀
準シソーラス用語： モンテカルロシミュレーション

分類 (1件)： 金属の結晶成長  (BK13030M)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜成長 ,  モデル ,  反応経路