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J-GLOBAL ID：201702248834263963   整理番号：17A0551742

Tb³⁺がドープされた窒素リッチな酸窒化シリコン膜の構造と発光特性

Structural and emission properties of Tb³⁺-doped nitrogen-rich silicon oxynitride films

著者 (9件)： LABBE C (Normandie Univ, Caen, FRA) ,  AN Y-T (Normandie Univ, Caen, FRA) ,  ZATRYB G (Wroclaw Univ. Technol., Wroclaw, POL) ,  PORTIER X (Normandie Univ, Caen, FRA) ,  PODHORODECKI A (Wroclaw Univ. Technol., Wroclaw, POL) ,  MARIE P (Normandie Univ, Caen, FRA) ,  FRILAY C (Normandie Univ, Caen, FRA) ,  CARDIN J (Normandie Univ, Caen, FRA) ,  GOURBILLEAU F (Normandie Univ, Caen, FRA)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 11  ページ： 115710,1-14  発行年： 2017年03月17日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Tb³⁺は,青色および緑色波長におけるその重要な発光線のために,シリコンフォトニクス用途のための魅力的なエネルギー受容体であり,それは⁵D₃および⁵D₄エネルギー準位に起因する。本研究では,Tb-ドープNRSON膜の構造的および光学的特性を調べた。Tbがドープされた窒素リッチなシリコン酸窒化物(NRSON)膜は,可変N₂流量の同時スパッタリングによって堆積され,異なる熱アニール処理に供された。この膜は,2つの副層からなることが判明した:Si0₂およびSi₃N₄の意図しない相分離の結果生じた,多孔質の最上層,および,いわゆる界面層の最下層から成ることが分かった。スピノーダル分解を含む,この効果の説明が提案された。1200°Cでの高いアニール温度では,界面と最上層との間の分離の直下でTbリッチクラスターの形成が検出され,酸化ケイ素マトリックスと比較して,酸化ケイ素マトリックスの希土類クラスター化のより高い熱閾値が明らかになった。

シソーラス用語： *テルビウム含有合金 ,  *ケイ素化合物 ,  *酸化物 ,  *窒化物 ,  *膜構造 ,  *特性 ,  オプトエレクトロニクス ,  多孔性 ,  境界層 ,  スピノーダル分解 ,  マトリックス【母体】
準シソーラス用語： 酸窒化ケイ素 ,  *発光特性 ,  シリコンフォトニクス ,  多孔質 ,  界面層

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドープ ,  窒素 ,  酸窒化 ,  シリコン膜 ,  発光特性