文献
J-GLOBAL ID:201702248898891432   整理番号:17A1665790

高出力半導体レーザのカプセル化品質に及ぼすAuSnはんだの予備熱温度の影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Research on Influence of AuSn Solder Preheating Temperature for Packaging Quality of High Power Semiconductor Laser
著者 (3件):
資料名:
巻: 40  号:ページ: 78-81  発行年: 2017年 
JST資料番号: C3181A  ISSN: 1672-9870  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
高出力半導体レーザのパッケージ品質を向上させるために,AuSnはんだの予備熱的温度を研究した。AuSnはんだの共晶原理を分析することによって,4つの異なる予熱温度のAuSnはんだのカプセル封じ試験を確立した。異なる予熱温度におけるパッケージデバイスの光電気パラメータ,スペクトル特性およびSEMの検出効果を比較することにより,実験結果を解析した。実験結果により、AuSnはんだの予熱温度は高パワー半導体レーザーのパッケージング品質に対して重要な影響があり、AuSnはんだの予熱温度が235°Cの時、高パワー半導体レーザーのカプセル品質が最も理想的であることが分かった。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
著者キーワード (4件):
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体レーザ 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る