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J-GLOBAL ID：201702248916900190   整理番号：17A0854864

[CrGe/MnGe/FeGe]超格子の分子ビームエピタクシー成長:調整可能な相互作用を持つ人工B20スキルミオン材料に向けて【Powered by NICT】

Molecular beam epitaxy growth of [CrGe/MnGe/FeGe] superlattices: Toward artificial B20 skyrmion materials with tunable interactions

著者 (5件)： Ahmed Adam S. (Department of Physics, The Ohio State University, Columbus, OH 43210, United States) ,  Esser Bryan D. (Center for Electron Microscopy and Analysis, The Ohio State University, Columbus, OH 43212, United States) ,  Rowland James (Department of Physics, The Ohio State University, Columbus, OH 43210, United States) ,  McComb David W. (Center for Electron Microscopy and Analysis, The Ohio State University, Columbus, OH 43212, United States) ,  Kawakami Roland K. (Department of Physics, The Ohio State University, Columbus, OH 43210, United States)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 467  ページ： 38-46  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スキルミオンは,その安定性はバルクDresselhausスピン-軌道結合(SOC),界面Rashba SOC,および磁気異方性を含む材料パラメータに依存することを理論的に示されている局在磁気スピン集合組織である。ここでは,新しいクラスの人工スキルミオン物質のB20超格子の成長を確立し,これらのパラメータを系統的に調整することができた。より詳しくいえば,ここではSi(111)基板上にFeGe,MnGe,およびCrGeの単結晶薄膜から成るB20超格子の成長に成功した。薄膜と超格子は分子ビームエピタクシーにより成長させ,反射高エネルギー電子回折,X線回折,断面走査型透過電子顕微鏡(STEM)の組合せにより特性化した。X線エネルギー分散分光法(XEDS)は元素マッピングにより層を区別し,[CrGe/MnGe/FeGe]超格子における相互混合の比較的低いレベルと良好な界面品質を示している。エピタキシャル単結晶B20超格子のこの実証は,磁気メモリと論理における基本的な科学的研究と応用のための調整可能なスキルミオンシステムに向けた重要な進歩である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *スキルミオン ,  X線回折 ,  *超格子 ,  結晶構造 ,  単結晶 ,  キャラクタリゼーション ,  磁気 ,  *MBE成長 ,  薄膜 ,  界面 ,  磁気メモリ ,  X線 ,  *相互作用 ,  RHEED ,  磁気異方性

著者キーワード (5件)： A.3分子ビームエピタクシー ,  A.3超格子 ,  B2磁性材料 ,  A.1反射高エネルギー電子回折 ,  A.1結晶構造

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 格子 ,  分子ビームエピタクシー成長 ,  相互作用 ,  人工 ,  スキルミオン