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J-GLOBAL ID：201702249235070634   整理番号：17A0953420

安熱合成的に結晶化したGaN種結晶上に成長した高抵抗Cドープ水素化物気相エピタキシーGaN

Highly resistive C-doped hydride vapor phase epitaxy-GaN grown on ammonothermally crystallized GaN seeds

著者 (8件)： IWINSKA Malgorzata (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Warsaw, POL) ,  PIOTRZKOWSKI Ryszard (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Warsaw, POL) ,  LITWIN-STASZEWSKA Elzbieta (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Warsaw, POL) ,  SOCHACKI Tomasz (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Warsaw, POL) ,  AMILUSIK Mikolaj (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Warsaw, POL) ,  FIJALKOWSKI Michal (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Warsaw, POL) ,  LUCZNIK Boleslaw (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Warsaw, POL) ,  BOCKOWSKI Michal (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Warsaw, POL)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 10  号： 1  ページ： 011003.1-011003.4  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化物気相成長法(HVPE)によりGaN結晶を成長し,Cをドープした。種結晶は,高構造品質の安熱合成的に結晶化したGaNであった。成長した結晶は,296Kで高い抵抗性を示し,高い構造品質を示した。高温Hall効果測定は,1eVの活性化エネルギーを有する材料において,p型導電性および深いアクセプタ準位を示した。得られた結果は,Van de Walleグループにより報告されたハイブリッド関数に基づく密度汎関数理論計算とよく一致していた。CがGaN中のNと置換し,深いアクセプタとして作用する場合,0.9eVのイオン化エネルギーを得た。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *溶液成長 ,  *結晶化 ,  *窒化ガリウム ,  *種結晶 ,  *結晶成長 ,  *炭素 ,  *ドーピング ,  *エピタクシー ,  電気抵抗 ,  結晶構造 ,  Hall効果 ,  活性化エネルギー ,  導電性 ,  不純物伝導 ,  不純物準位 ,  計算 ,  密度汎関数法 ,  イオン化ポテンシャル
準シソーラス用語： *安熱合成 ,  GaN ,  C ,  ドープ ,  *水素化物気相エピタクシー ,  電気抵抗性 ,  P型伝導 ,  アクセプタ準位 ,  密度汎関数理論計算 ,  イオン化エネルギー

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (22件)：

• R. Doradziński, R. Dwiliński, J. Garczyński, L. P. Sierzputowski, and Y. Kanbara, in Technology of Gallium Nitride Crystal Growth, ed. D. Ehrentraut, E. Meissner, and M. Bockowski (Springer, Heidelberg, 2010) p. 137.
• Y. Mori, M. Imade, M. Maruyama, M. Yoshimura, H. Yamane, F. Kawamura, and T. Kawamura, in Handbook of Crystal Growth Second Edition: Bulk Crystal Growth: Basic Techniques, and Growth Mechanisms and Dynamics, ed. P. Rudolph (Elsevier, Amsterdam, 2015) p. 505.
• A. Koukitu and Y. Kumagai, in Technology of Gallium Nitride Crystal Growth, ed. D. Ehrentraut, E. Meissner, and M. Bockowski (Springer, Heidelberg, 2010) p. 31.
• E. Richter, Ch. Hennig, U. Zeimer, L. Wang, M. Weyers, and G. Tränkle, Phys. Status Solidi A 203, 1658 (2006).
• M. Iwinska, T. Sochacki, M. Amilusik, P. Kempisty, B. Lucznik, M. Fijalkowski, E. Litwin-Staszewska, J. Smalc-Koziorowska, A. Khapuridze, G. Staszczak, I. Grzegory, and M. Bockowski, J. Cryst. Growth (in press) [DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.08.043].

タイトルに関連する用語 (7件)： 安熱合成 ,  結晶化 ,  GaN ,  種結晶 ,  成長 ,  ドープ ,  水素化物気相エピタキシー