文献

J-GLOBAL ID：201702249277937852   整理番号：17A0371652

斜方晶-正方晶相境界を横切る(Na,K)NbO_3ベース鉛フリーセラミックの分域スイッチングと格子歪の研究【Powered by NICT】

Investigations of domain switching and lattice strains in (Na,K)NbO₃-based lead-free ceramics across orthorhombic-tetragonal phase boundary

著者 (5件)： Fu Jian (Institute of Electro Ceramics & Devices, School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei 230009, PR China) ,  Zuo Ruzhong (Institute of Electro Ceramics & Devices, School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei 230009, PR China) ,  Xu Yudong (Institute of Electro Ceramics & Devices, School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei 230009, PR China) ,  Li Jing-Feng (State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, PR China) ,  Shi Min (Institute of Electro Ceramics & Devices, School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei 230009, PR China)
資料名： Journal of the European Ceramic Society  (Journal of the European Ceramic Society)
巻： 37  号： 3  ページ： 975-983  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0801B  ISSN： 0955-2219  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 斜方晶(O)及び正方晶(T)多形相境界(PPB)の近傍における(Na_0 0.52K_0Ti0.48 x)(Nb_0 0.92-xSb_0 0.08)O_3-xLiTaO_3セラミックの種々の歪寄与は巨視的歪測定とともにシンクロトロンX線回折により定量的に分析した。本質的な格子歪の支配機構とOリッチ組成と比較して,Tに富む組成は可逆分域スイッチングからの主要な歪機構を示した。回折データの定量的解析は外因性歪寄与は格子歪δが,分極組織Δf,相含有量(PPB組成)と領域のタイプに依存することを示唆した。より小さな格子歪と高い分極集合組織はOリッチ組成の非可逆分域スイッチングの数を増加する傾向があり,従って固有格子歪の寄与の大部分をもたらした。計算結果は,二パラメータΔfとδの生成物はT相組成の分域スイッチング株の信頼性のある推定がO相組成のための過大評価を与えるであろうことを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 相組成 ,  不可逆性 ,  *格子歪 ,  *斜方晶系 ,  圧電気 ,  定量的分析 ,  歪測定 ,  *正方晶系 ,  X線回折 ,  *分域 ,  *相境界 ,  集合組織 ,  *スイッチング
準シソーラス用語： 放射光X線回折 ,  *鉛フリー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 圧電性 ,  歪を受ける ,  X線回折 ,  分域スイッチング

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (10件)： 斜方晶 ,  正方晶 ,  相境界 ,  Na ,  鉛フリー ,  セラミック ,  分域 ,  スイッチング ,  格子歪 ,  研究