文献

J-GLOBAL ID：201702249345729840   整理番号：17A0705503

小分子および高分子太陽電池における絶縁高分子添加剤:それらはどのように許容されると潜在的中間層としての利用【Powered by NICT】

Insulating polymer additives in small molecule and polymer photovoltaics: how they are tolerated and their use as potential interlayers

著者 (4件)： Manion Joseph G. (Department of Chemistry, University of Toronto, 80 St. George Street, Toronto, Ontario M5S 3H6, Canada. [e-mail]) ,  Gao Dong ,  Brodersen Peter M. ,  Seferos Dwight S.
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 13  ページ： 3315-3322  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 添加剤はバルクヘテロ接合有機太陽電池における最適形態と効率的な性能を得るために重要である。本研究では,プロトタイプの小分子と高分子光起電素子における三絶縁重合体[エチレンアクリルエラストマ,ポリスチレンおよびポリ(メタクリル酸メチル)]の影響を解析した。小分子半導体と高分子半導体は絶縁体の型と同様に絶縁体取込みの程度の耐性で顕著に変化することを見出した。有機半導体マトリックス中に自己集合あるいは浸潤の可能な絶縁性高分子は小分子と高分子素子の性能に及ぼす正またはわずかな影響を持っている。デバイス表面へのエチレンアクリルエラストマの自発的移動は,有害添加物,が,蒸着したLiF中間層の性能と一致するかまたは超えた著者らの予備データは小分子素子における自発的に形成されるカソード中間層としての潜在的応用を示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ポリスチレン ,  *添加剤 ,  有機半導体 ,  形態 ,  *小分子 ,  自己集合 ,  高分子半導体 ,  分子素子 ,  光起電素子 ,  *高分子 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 有機太陽電池 ,  バルクヘテロ接合 ,  *中間層 ,  *高分子太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 小分子 ,  高分子太陽電池 ,  絶縁 ,  高分子 ,  添加剤 ,  許容 ,  中間層