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J-GLOBAL ID:201702249359260829   整理番号:17A0206218

Pdドープ超伝導体SrPt3Pにおける不純物散乱効果【Powered by NICT】

Impurity scattering effect in Pd-doped superconductor SrPt3P
著者 (9件):
資料名:
巻: 11  号:ページ: 117403_01-117403_05  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2648A  ISSN: 2095-0462  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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超伝導体SrPt_3PにおけるPdドーパントにより誘起された不純物散乱効果の系統的研究を提示した。固相反応法を用いて,Pdをドープした超伝導体Sr(Pt(1 x)Pd_x)3Pを作製した。残留抵抗ρ_0はPdドーピングとともに急速に増加することを見出し,一方,残留抵抗比(RRR)は劇的な減少を示した。さらに,Hall抵抗率ρ(xy)の非線形磁場依存挙動と低温でのHall係数R_Hの強い温度依存性はPdドーピングによって抑制された。全ての実験結果は,ドーピングにより誘起された不純物による散乱の増加によって説明することができた。著者らの結果は,Pt部位である本システムにおけるキャリア伝導に非常に重要であることを示唆した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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著者キーワード (3件):
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その他の超伝導体の物性  ,  その他の無機化合物の電気伝導 
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