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J-GLOBAL ID：201702249387997160   整理番号：17A0997819

無機包接化合物の性質を調整するへの経路としてのかご型障害とガスカプセル化【Powered by NICT】

Cage disorder and gas encapsulation as routes to tailor properties of inorganic clathrates

著者 (4件)： Khabibullin A.R. (Department of Physics, University of South Florida, Tampa, FL 33620, USA) ,  Huan T.D. (Department of Materials Science & Engineering and Institute of Materials Science, University of Connecticut, Storrs, CT 06296-3136, USA) ,  Nolas G.S. (Department of Physics, University of South Florida, Tampa, FL 33620, USA) ,  Woods L.M. (Department of Physics, University of South Florida, Tampa, FL 33620, USA)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 131  ページ： 475-481  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： II型結晶構造を持つ無機包接化合物は高温熱電応用のための有望な材料として注目されている。本研究では,不活性Xe原子で充填されたフレームワーク,空のケージSn_136,Sn_136の化合物に及ぼす部分的Ga置換したいくつかのSn II型包接化合物組成の電子およびフォノン特性のab initio計算を提示した。原子置換とゲストカプセル封じによるケージ障害は重大な方法でこれらの材料の基本的な特性に影響を与えることが分かった。はこれらの材料の安定性は,ゲストの存在と無秩序包接化合物における直接GaGa結合の欠如により増強されることを決定した。不活性Xe原子はSn_136の全体的な電子構造を保存し,増強されたフォノン散乱に対する緩く束縛されたゲストラットリングを利用するユニークな機会を提供する。フォノンバンド構造とモードGrueneisenパラメータと同様に,計算した状態エネルギーバンドと密度はII型Sn包接化合物のさらなる解析を可能にし,興味ある構造-特性関係を明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子構造 ,  フォノン ,  *包接化合物 ,  スズ ,  バンド構造 ,  結晶構造 ,  保持器 ,  Grueneisen定数
準シソーラス用語： 構造特性相関 ,  エネルギー帯 ,  フォノン散乱 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 包接化合物 ,  熱電輸送 ,  電子構造 ,  フォノン特性

分類 (1件)： ろう付  (WC07050C)

タイトルに関連する用語 (6件)： 包接化合物 ,  性質 ,  経路 ,  かご ,  障害 ,  カプセル化