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J-GLOBAL ID：201702249427969211   整理番号：17A1727257

ナノワイヤトランジスタは黄金比の2次元Poisson Schroedinger/3Dモンテカルロシミュレーション研究【Powered by NICT】

Does a nanowire transistor follow the golden ratio? A 2D Poisson-Schroedinger/3D Monte Carlo simulation study

著者 (4件)： Al-Ameri Talib (School of Engineering, University of Glasgow, G12 8LT, UK) ,  Georgiev V. P. (School of Engineering, University of Glasgow, G12 8LT, UK) ,  Adamu-Lema Fikru (School of Engineering, University of Glasgow, G12 8LT, UK) ,  Asenov Asen (School of Engineering, University of Glasgow, G12 8LT, UK)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SISPAD  ページ： 57-60  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,芸術と建築に記載されている黄金比(Phi)と同じ特性を示す等方性電荷分布の特徴を観察した,5nm CMOS応用のための超スケールn型シリコンナノワイヤトランジスタ(NWT)のシミュレーション研究を提示した。著者らの結果は,チャネルにおける可動電荷の量はデバイス形状によって決定され,また,黄金比(Phi)に関連していることを明らかにした。も主なデバイス特性,駆動と漏れ電流のようなデバイスの断面形状と寸法の間の関係を確立した。Merit(FoM)の主要な指数とデバイス変動と信頼性の間の相関を検討した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *シミュレーション ,  *二次元 ,  CMOS ,  漏れ電流 ,  信頼性 ,  等方性 ,  チャネル ,  電荷 ,  電荷分布
準シソーラス用語： 断面形状 ,  デバイス特性 ,  シリコンナノワイヤトランジスタ ,  *モンテカルロシミュレーション ,  *ナノワイヤトランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノワイヤトランジスタ ,  2次元 ,  3D ,  モンテカルロシミュレーション ,  研究