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J-GLOBAL ID:201702249447028968   整理番号:17A1111788

ホスフィンボランの化学を基盤とするP-キラルホスフィン配位子の開発:有機合成化学における新規性と有用性を求めて

著者 (1件):
資料名:
号: 174  ページ: 2-26  発行年: 2017年07月 
JST資料番号: F1930A  ISSN: 1349-4856  CODEN: TCIMCV  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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P-キラルホスフィン配位子の合成と触媒的不斉合成への利用について,主に筆者らの研究を振り返りながら概説する。種々の光学的に純粋なP-キラルホスフィン配位子が,ホスフィンボランを中間体として用いることにより,従来のホスフィンオキシドを用いる方法よりも容易に合成できるようになった。リン原子上にt-ブチル基のような嵩高い置換基とメチル基のような極小アルキル基を有し,かつ剛直な構造のP-キラルホスフィン配位子は,遷移金属錯体触媒不斉合成反応において極めて高いエナンチオ選択性と触媒活性を発現する。2,3-ビス(t-ブチルメチルホスフィノ)キノキサリン(QuinoxP*)は,その優れた不斉触媒能に加えて空気中での取り扱いが容易であることより,基礎研究のみならずキラル医薬品中間体の製造にも利用されつつある。リン原子上の電子密度の高いP-キラルホスフィン配位子を用いてエナミド類のロジウム錯体触媒不斉水素化の機構について研究した結果,反応はジヒドリド機構で進行し,エナンチオ選択性はホスフィン配位子-ジヒドリド-基質からなる6配位ロジウム(III)錯体の生成段階で決定されることが明らかとなった。(著者抄録)
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分類 (3件):
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有機りん化合物  ,  白金族元素の錯体  ,  触媒反応一般 
引用文献 (65件):
  • (a) Phosphorus(III) ligands in Homogeneous Catalysis (Eds.: P. C. J. Kamer, P. W. N. M. van Leewen), Wiley, Chichester, 2013. (b) Privileged Chiral Ligands and Catalysts (Ed.: Q.-L. Zhou), Wiley-VCH, Weinheim, 2011. (c) Phosphorus Ligands in Asymmetric Catalysis: Synthesis and Application (Ed.: A. Börner), Wiley-VCH, Weinheim, 2008, Vols. 1-3. (d) W. Tang, X. Zhang, Chem. Rev. 2003, 103, 3029.
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  • T. Imamoto, T. Takeyama, T. Kusumoto, Chem. Lett. 1985, 1491.
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