抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
P-キラルホスフィン配位子の合成と触媒的不斉合成への利用について,主に筆者らの研究を振り返りながら概説する。種々の光学的に純粋なP-キラルホスフィン配位子が,ホスフィンボランを中間体として用いることにより,従来のホスフィンオキシドを用いる方法よりも容易に合成できるようになった。リン原子上にt-ブチル基のような嵩高い置換基とメチル基のような極小アルキル基を有し,かつ剛直な構造のP-キラルホスフィン配位子は,遷移金属錯体触媒不斉合成反応において極めて高いエナンチオ選択性と触媒活性を発現する。2,3-ビス(t-ブチルメチルホスフィノ)キノキサリン(QuinoxP
*)は,その優れた不斉触媒能に加えて空気中での取り扱いが容易であることより,基礎研究のみならずキラル医薬品中間体の製造にも利用されつつある。リン原子上の電子密度の高いP-キラルホスフィン配位子を用いてエナミド類のロジウム錯体触媒不斉水素化の機構について研究した結果,反応はジヒドリド機構で進行し,エナンチオ選択性はホスフィン配位子-ジヒドリド-基質からなる6配位ロジウム(III)錯体の生成段階で決定されることが明らかとなった。(著者抄録)