文献

J-GLOBAL ID：201702249462321497   整理番号：17A0643412

Si(100)表面誘起電荷の原子空孔とドーパントに及ぼす影響に関する第一原理解析

著者 (2件)： 稲垣淳 (岡山県大 大学院) ,  末岡浩治 (岡山県大 情報工)
資料名： 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集
巻： 2016  ページ： 95  発行年： 2016年07月31日 
JST資料番号： L5917A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ケイ素 ,  表面 ,  *空孔欠陥 ,  ドーパント ,  計算 ,  *表面電荷 ,  *結晶成長 ,  原子空孔 ,  第一原理計算

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  誘起 ,  電荷 ,  原子空孔 ,  ドーパント ,  第一原理 ,  解析