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J-GLOBAL ID：201702249464217918   整理番号：17A1259408

高周波高出力DC-DCコンバータのための異なるSiC-MOSFETの性能比較【Powered by NICT】

Performance comparison of different SiC-MOSFETs for high-frequency high-power DC-DC converters

著者 (3件)： Sarriegui Garikoitz (Institute for Power Electronics and Electrical Drives (ISEA), RWTH Aachen University, Germany) ,  Beushausen Steffen (Institute for Power Electronics and Electrical Drives (ISEA), RWTH Aachen University, Germany) ,  De Doncker Rik W. (Institute for Power Electronics and Electrical Drives (ISEA), RWTH Aachen University, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PEDG  ページ： 1-8  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワイドバンドギャップ(WBG)半導体デバイスはより高いスイッチング速度によるパワーエレクトロニクスコンバータのための高出力密度を達成するための機会を代表し,このようにして,受動部品のサイズ減少を可能にするコンバータの総合効率は損なわれなかった。本論文では,高周波DC-DCコンバータに適用したそれらの損失と性能に関して比較したCREE/Wolfspeedから四SiC-MOSFET。この目的のために,各MOSFETのオン状態抵抗と体ダイオード電圧降下は半導体静的損失を評価するために異なったドレイン電流を測定した。各MOSFETのスイッチング損失は,二重パルス試験で得られた。これらMOSFETの三は,システム効率を調べるために2相インタリーブDC-DCコンバータプロトタイプで評価した。最後に,デバイスC2M0040120Dは高出力高周波動作のための最も高い可能性を示し,電気的および熱特性の間のバランスに起因する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  半導体 ,  *HF【周波数】 ,  *MOSFET ,  *変換器 ,  インタリーブ ,  ダイオード ,  スイッチング損失 ,  熱特性 ,  電圧降下
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  出力密度 ,  スイッチング速度 ,  *性能比較 ,  *高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高周波 ,  高出力 ,  DC-DCコンバータ ,  SiC ,  MOSFET ,  性能比較