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J-GLOBAL ID：201702249603429292   整理番号：17A0754249

メモリ応用のための全無機ハロゲン化物ペロブスカイトCsPbBr_3の再現性あるスイッチング効果【Powered by NICT】

Reproducible switching effect of an all-inorganic halide perovskite CsPbBr₃ for memory applications

著者 (3件)： Liu Hongzhang (School of Nuclear Technology and Chemistry & Biology, Hubei University of Science and Technology, Xianning 437100, PR China) ,  Wu Yunyi (Department of Energy Materials and Technology, General Research Institute for Nonferrous Metals, Beijing, China) ,  Hu Yonghong (School of Nuclear Technology and Chemistry & Biology, Hubei University of Science and Technology, Xianning 437100, PR China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 9  ページ： 7020-7025  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： すべて無機ハロゲン化物ペロブスカイトCsPbBr_3を開発し,研究した。メモリスタにおける貯蔵媒体としてこの安定な全無機ハロゲン化物ペロブスカイトの使用を実証した。抵抗ランダムアクセスメモリ素子(Pt/CsPbBr_3ftoとPt/CsPbBr_3Cu_2O/FTO)の二つの異なる構造における再現性のある典型的なバイポーラ抵抗スイッチング挙動を観測した。特に,CsPbBr_3/Cu_2Oヘテロ接合に基づくPt/CsPbBr_3Cu_2O/FTOデバイスは,低セット及びリセット電圧で著しく高い抵抗スイッチング効果を示した。このような魅力的な特性はBaTiO_3とSrZrO_3のようなしばしば使用される遷移金属酸化物ペロブスカイトのそれらに匹敵し,などがある。も調べた素子の抵抗スイッチング挙動を理解するために提案した可能な伝導機構。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *スイッチ効果 ,  *記憶装置 ,  ヘテロ接合 ,  *ハロゲン化物 ,  記憶媒体 ,  *再現性
準シソーラス用語： 伝導機構 ,  遷移金属酸化物 ,  リセット電圧 ,  抵抗スイッチング ,  ReRAM ,  メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 全無機ハロゲン化物ペロブスカイト ,  CsPbBr_3 ,  抵抗スイッチング ,  記憶デバイス

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 応用 ,  ハロゲン化物 ,  ペロブスカイト ,  再現性 ,  スイッチング効果