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J-GLOBAL ID：201702249637040969   整理番号：17A1244738

n型Czochralski成長シリコン中の炭素-酸素欠陥と水素の反応に由来する強力な再結合中心【Powered by NICT】

Powerful recombination centers resulting from reactions of hydrogen with carbon-oxygen defects in n-type Czochralski-grown silicon

著者 (12件)： Vaqueiro-Contreras M. (Photon Science Institute, University of Manchester, Manchester M13 9PL, UK) ,  Markevich V. P. (Photon Science Institute, University of Manchester, Manchester M13 9PL, UK) ,  Halsall M. P. (Photon Science Institute, University of Manchester, Manchester M13 9PL, UK) ,  Peaker A. R. (Photon Science Institute, University of Manchester, Manchester M13 9PL, UK) ,  Santos P. (Department of Physics and I3N, University of Aveiro, Campus Santiago, Aveiro 3810-193, Portugal) ,  Coutinho J. (Department of Physics and I3N, University of Aveiro, Campus Santiago, Aveiro 3810-193, Portugal) ,  OEberg S. (Department of Engineering Sciences and Mathematics, Lulea University of Technology, SE-97187 Lulea, Sweden) ,  Murin L. I. (Materials Research Center of NAS of Belarus, Minsk 220072, Belarus) ,  Falster R. (SunEdison Semiconductor Ltd., viale Gherzi 31, 28100 Novara, Italy) ,  Binns J. (SunEdison Inc., 7832 N. Leadbetter Rd., Portland, Oregon, 97203, USA) ,  Monakhov E. V. (Department of Physics, SMN, University of Oslo, Oslo N-0316, Norway) ,  Svensson B. G. (Department of Physics, SMN, University of Oslo, Oslo N-0316, Norway)
資料名： Physica Status Solidi. Rapid Research Letters  (Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻： 11  号： 8  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1880A  ISSN： 1862-6254  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素による処理は,シリコン半導体デバイスを改善できることを50年以上認識されてきた。近年,これらはシリコン表面での光生成キャリアの損失を低減するシリコン太陽電池の利点や誘電体を用いたシリコン界面で使用されてきた。しかし,いくつかのタイプのシリコンの中の水素の拡散は,炭素,酸素,水素キャリア寿命と最終的にそのような材料から作られた太陽電池の効率を低下させるからなる強力な再結合中心の生成をもたらすことができることを見出した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *酸素 ,  *ケイ素 ,  誘電体 ,  半導体素子 ,  界面 ,  *水素 ,  太陽電池 ,  光生成 ,  *炭素 ,  *再結合中心
準シソーラス用語： 水素キャリア ,  シリコン太陽電池 ,  *酸素欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 炭素-酸素欠陥 ,  Czochralskiシリコン ,  水素 ,  少数キャリア過渡分光法 ,  再結合中心

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 成長 ,  シリコン ,  炭素 ,  酸素欠陥 ,  水素 ,  再結合中心