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J-GLOBAL ID：201702249738652376   整理番号：17A0696026

遷移金属二カルコゲン化物WX₂(X=S,Se)ナノリボンの外部歪によるバンドギャップ調整

Tuning Band Gaps of Transition Metal Dichalcogenides WX₂ (X=S, Se) Nanoribbons by External Strain

著者 (5件)： ZHANG Zhixiang (East China Normal Univ., Shanghai, CHN) ,  WANG Jiqing (East China Normal Univ., Shanghai, CHN) ,  SONG Changsheng (East China Normal Univ., Shanghai, CHN) ,  MAO Huibing (East China Normal Univ., Shanghai, CHN) ,  ZHAO Qiang (East China Normal Univ., Shanghai, CHN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 16  号： 8  ページ： 8090-8095  発行年： 2016年08月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)ナノリボンのバンドギャップは,歪を印加することで変調できることを第一原理計算により示した。MX₂(M=Mo,W;X=S,Se)ナノリボンを選び,電子挙動に及ぼす歪効果を系統的に調べた。MoX₂と比べ,WX₂のバンドギャップは中間歪領域で空間が明白に増大した。WSe₂ナノリボンはWX₂よりも加えた歪に敏感であった。WSe₂ナノリボンは弱い7W-Se原子結合故にギャップは歪に強く依存した。バンドギャップ増加の順はWS₂<WSSe<WSeであった。歪が増すと,バンドギャップが明白に変化した。これらの結果はTMDに基づく一次元ナノ構造への歪印加によりバンドギャップ変調のための有用な情報を提供する。

シソーラス用語： *カルコゲン化物 ,  *遷移金属化合物 ,  ナノ構造 ,  リボン結晶 ,  *バンドギャップ ,  第一原理 ,  効果 ,  歪 ,  タングステン化合物 ,  モリブデン化合物 ,  硫化物 ,  セレン化物
準シソーラス用語： ナノリボン ,  *遷移金属二カルコゲン化物 ,  歪効果

分類 (1件)： 金属結晶の電子構造  (BM02050C)

タイトルに関連する用語 (5件)： 遷移金属二カルコゲン化物 ,  Se ,  ナノリボン ,  バンド ,  ギャップ調整