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J-GLOBAL ID：201702249802568818   整理番号：17A0132724

CVDおよびALD反応槽での反応物質の利用率

Reactant utilization in CVD and ALD chambers

著者 (1件)： McInerney Edward J. (Lam Research Corp., 4650 Cushing Parkway, Fremont, California 94538)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 35  号： 1  ページ： 01B138-01B138-6  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学気相堆積法(CVD)および原子層堆積法(ALD)の反応装置では,反応物質のかなりの比率が基板上で反応せずに排気される。これを定量化するために,軸対称よどみ点流れの反応装置について,反応物質利用率の解析的表現式を導いた。利用率は,無次元のPeclet数とDomkohler数に依存することがわかった。最も高い利用率は,質量移送極限(Da→∞)で見られる。有限の反応速度では,CVDプロセスの利用率は常にALDプロセスより高い。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *比率 ,  *化学反応 ,  化合物 ,  排気 ,  *反応器 ,  Peclet数 ,  無次元数 ,  反応速度
準シソーラス用語： *原子層堆積 ,  *利用率 ,  反応物 ,  Domkohler数

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (5件)： CVD ,  ALD ,  反応槽 ,  反応物質 ,  利用率