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J-GLOBAL ID：201702249809551699   整理番号：17A0402961

表面終端によるゲルマニウムナノワイヤのバンドギャップと光学特性の改質【Powered by NICT】

Modifying the band gap and optical properties of Germanium nanowires by surface termination

著者 (4件)： Legesse Merid (Tyndall National Institute, University College Cork, Lee Maltings, Dyke Parade, Cork, Ireland) ,  Legesse Merid (Qatar Environment and Energy Research Institute, Hamad Bin Khalifa University, Qatar Foundation, Doha, Qatar) ,  Fagas Giorgos (Tyndall National Institute, University College Cork, Lee Maltings, Dyke Parade, Cork, Ireland) ,  Nolan Michael (Tyndall National Institute, University College Cork, Lee Maltings, Dyke Parade, Cork, Ireland)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 396  ページ： 1155-1163  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ナノワイヤ,ケイ素(Si),ゲルマニウム(Ge)に基づいて,多くのICT応用のための主要候補,次世代トランジスタ,オプトエレクトロニクス,ガス及びバイオセンシングと太陽光発電を含んでいる。これらの応用への鍵は,ナノワイヤの直径を変えることによりバンドギャップを調整する可能性がある。異なる直径のGeナノワイヤは,H終端と研究されてきたが,化学からのアイデアを用いて,表面終端基を変えることバンドギャップを調整することに使用できる。本論文では,密度汎関数理論(GGA DFT)とハイブリッドDFTの一般化勾配近似(001),(110)および(111)配向ゲルマニウムナノワイヤのバンドギャップに及ぼす-H,-NH_2および-OH基を用いて直径と表面終端の効果を研究するために適用した。表面終端群は大きさとバンドギャップの性質の両方を可能にする変化であることを示した。さらに,吸収端は-H終端と比較してNH_2と-OH終端で長波長側にシフトする,-NH_2または-OHとナノワイヤを修正することによるこの効果の起源を原子価バンド修飾することを示した。これらの結果は,簡単な表面化学により,約1.1eVの範囲にわたり小径Geナノワイヤのバンドギャップを調整できることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： オプトエレクトロニクス ,  密度汎関数法 ,  半導体 ,  原子価 ,  バイオセンサ ,  *ナノワイヤ ,  界面化学 ,  太陽光発電 ,  *バンドギャップ ,  吸収端 ,  トランジスタ ,  小口径 ,  *ゲルマニウム ,  光学的性質
準シソーラス用語： 一般化勾配近似 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Geナノワイヤ ,  バンドギャップ ,  表面終端 ,  DFT ,  吸着

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 終端 ,  ゲルマニウム ,  ナノワイヤ ,  バンドギャップ ,  光学特性 ,  改質