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J-GLOBAL ID:201702249868871205   整理番号:17A1037184

MVDC格子のための3相二重アクティブブリッジコンバータにおける電力半導体の解析的モデル化と損失推定【Powered by NICT】

An analytical modeling and estimating losses of power semiconductors in a three-phase dual active bridge converter for MVDC grids
著者 (4件):
資料名:
巻: 2017  号: PECI  ページ: 1-8  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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再生と分散電源の設置のために,中電圧DC(MVDC)格子は中電圧交流(MVAC)応用の代替応用に対して考慮した。三相二重アクティブブリッジDC-DC(3dab)変換器は,その高い出力能力,より小さなフィルタリング部品,ガルバニック分離によるMVDCグリッドのための魅力的なトポロジーとして提案した。本論文では,3マガレイ変換器の第一高調波近似(FHA)モデルを導出した。FHAモデリングを用いて,スイッチング素子の対称モデルを導入し,40kV MVDCシステムのための4MVAシステムは,伝導とスイッチング損失の点から検証した。10kVAプロトタイプと結果の実験的実装を提示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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電力変換器 

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