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J-GLOBAL ID：201702249875901418   整理番号：17A1244728

外部磁場と温度による(0001)配向αFe_2O_3薄膜におけるスピン再配列転移の制御【Powered by NICT】

Control of spin-reorientation transition in (0001) oriented α-Fe₂O₃ thin film by external magnetic field and temperature

著者 (6件)： Pati Satya Prakash (Department of Electronic Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan) ,  Al-Mahdawi Muftah (Department of Electronic Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan) ,  Ye Shujun (Department of Electronic Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan) ,  Nozaki Tomohiro (Department of Electronic Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan) ,  Sahashi Masashi (Department of Electronic Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan) ,  Sahashi Masashi (ImPACT Program, Japan Science and Technology Agency, Tokyo 102-0076, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. Rapid Research Letters  (Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻： 11  号： 7  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1880A  ISSN： 1862-6254  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚さ250nmの純粋相,無歪およびエピタキシャルαFe_2O_3膜は公称平均表面粗さ0.71nmのC Al_2O_3基板上に反応性rfスパッタリングにより作製した。磁場誘起スピン再配向温度(T_SR)と温度に依存したスピン再配向場(H_SR)を調べた。結果で線形関係は,両方法により0.92±0.05K kOe~ 1と 0.89±0.175K kOe~ 1に等しい∂T_SR/∂H_SRで見られた。磁場誘起エントロピー変化は印加磁場によるスピン再配列温度のシフトの原因であることを示した。一次相転移に関係したエントロピー変化をClausius-Clapeyron方程式に基づいて計算し,0.029J kg~( 1)K~ 1であることが分かった。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 第一種相転移 ,  エピタクシー ,  線形性 ,  *外部磁場 ,  反応性 ,  エントロピー ,  *薄膜 ,  スパッタリング ,  *スピン再配列
準シソーラス用語： 印加磁場 ,  磁場誘起 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： antiferromagnets ,  エントロピー ,  ヘマタイト ,  磁気相転移 ,  oxides ,  薄膜

分類 (3件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (4件)： 外部磁場 ,  配向 ,  薄膜 ,  スピン再配列