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J-GLOBAL ID：201702249927013752   整理番号：17A0470315

噴霧熱分解蒸着したインジウム酸化物薄膜の優先結晶方位を同調することについて【Powered by NICT】

On tuning the preferential crystalline orientation of spray pyrolysis deposited indium oxide thin films

著者 (6件)： Attaf A. (Physics Laboratory of Thin Films and Applications LPCMA, University of Biskra, Algeria) ,  Bouhdjer A. (Physics Laboratory of Thin Films and Applications LPCMA, University of Biskra, Algeria) ,  Saidi H. (Physics Laboratory of Thin Films and Applications LPCMA, University of Biskra, Algeria) ,  Aida M.S. (Laboratoire de Couches Minces et Interfaces Faculte des Sciences Universite de Constantine, Algeria) ,  Attaf N. (Laboratoire de Couches Minces et Interfaces Faculte des Sciences Universite de Constantine, Algeria) ,  Ezzaouia H. (Laboratoire des semi-conducteurs, nanostructures et Technologie Avancee, Research and Technology Centre of Energy, Borj-Cedria Science and Technology Park, BP 95, 2050 Hammam-Lif, Tunisia)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 625  ページ： 177-179  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ガラス,単結晶Si(400)およびKCl単結晶基板500°Cで加熱に及ぼす超音波噴霧法により作製した酸化インジウム薄膜の優先結晶方位の変化を調べた。構造分析は,ガラスとSiウエハ基板上に堆積した膜は(222)面に沿って優先配向した多結晶であることを示唆している。しかし,KCl単結晶基板上に堆積した膜は(400)優先配向を示した。KCl基板上に堆積した膜は,他の基板上に析出させたものより大きい結晶粒サイズを持っていた。電気的キャラクタリゼーションは,KCl基板上に堆積した膜は0.8×10~ 3Ωcmの低い抵抗率を持つことを示した。がガラス基板上に作製した膜は33Ωcmのために高い抵抗率を示した。この不一致は,KCl基板に対する膜からの酸素拡散の観点から説明した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化インジウム ,  優先配向 ,  電気抵抗率 ,  *インジウム ,  多結晶 ,  単結晶 ,  構造解析 ,  結晶粒径 ,  *結晶方位 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  シリコンウエハ ,  超音波噴霧 ,  *酸化物薄膜 ,  *噴霧熱分解法 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 酸化インジウム ,  薄膜 ,  超音波スプレー堆積 ,  光学的性質 ,  電気的性質

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 噴霧熱分解 ,  蒸着 ,  インジウム ,  酸化物薄膜 ,  優先 ,  結晶方位 ,  同調