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J-GLOBAL ID：201702249958975843   整理番号：17A1454980

酸素欠損In_2O_3薄膜の磁気的および光学的性質に及ぼすVドーピングの効果【Powered by NICT】

Effects of V doping on magnetic and optical properties of oxygen-deficient In₂O₃ thin films

著者 (3件)： Alqahtani Mohammed S. (Department of Physics and Astronomy, King Saud University, Riyadh 11451, Saudi Arabia) ,  Hadia N.M.A. (Physics Department, Faculty of Science, Sohag University, 82524 Sohag, Egypt) ,  Mohamed S.H. (Physics Department, Faculty of Science, Sohag University, 82524 Sohag, Egypt)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 145  ページ： 377-386  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 研究の範囲は,熱蒸発により作製したバナジウム(V)をドープした酸化インジウム薄膜の構造的,光学的および磁気的挙動を研究することであった。バナジウムをドープした酸素欠損In_2O_3の薄膜をサファイア,コーニングガラス及びSi(100)基板上に堆積した。EDAX分析は,酸素の大きな減少は,蒸発時に発生し,酸素欠乏非ドープおよびVドープIn_2O_3薄膜が形成されたことを明らかにした。XRDキャラクタリゼーションは,本In_2O_3部分は非晶質状態で,観察された結晶ピークは正方晶金属インジウムとして指数付けしたことを示唆した。アンドープIn_2O_3は最低の透過率を有し,透過率はVドーピングの増加と共に増加した。光学バンドギャップと屈折率値はVドーピングの増加とともに減少した。VドープIn_2O_3薄膜の磁場に対する磁化の依存性を300Kと5Kで研究した。全ての試料はソフト強磁性挙動を示した。ヒステリシスループのパラメータを抽出した。達成された結果は,磁気光学応用に使用可能であろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *磁気 ,  透過率 ,  *ドーピング ,  強磁性 ,  *光学的性質 ,  光学ギャップ ,  X線回折 ,  *薄膜 ,  正方晶系 ,  *インジウム ,  *酸素 ,  蒸発 ,  非晶質 ,  バナジウム
準シソーラス用語： *酸素欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： VドープしたIn_2O_3 ,  構造特性 ,  光学的性質 ,  磁気的性質

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸素欠損 ,  薄膜 ,  磁気 ,  光学的性質 ,  ドーピング