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J-GLOBAL ID:201702250010881038   整理番号:17A1646601

微細パワーデバイスシミュレーションのための完全なスイッチングセルモデル【Powered by NICT】

A complete switching cell model for fine power devices simulation
著者 (5件):
資料名:
巻: 2017  号: GECS  ページ: 1-5  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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スイッチング素子は,大部分再生可能エネルギー発電システムに設置を可能にする技術である。その優れた電圧遮断能力と高速スイッチングのおかげで,炭化ケイ素(SiC)スイッチパワーエレクトロニクスは,再生可能エネルギー発電システムの電力変換における利用を測定した。ダイオードとJFETのような新しいSiCスイッチ電力システム電力変換効率を前進させ,SiC素子の低損失,高周波,高温特性のためにDCリンクインダクタのサイズと重量を減少させることができる。予測SiCスイッチデバイス性能はよく知られているスイッチング細胞であるシステム電力変換の基本的提示における正確なデバイスモデルに基づいている。しかし,配線寄生インダクタンスと電流および電圧センサはシミュレーション結果に統合する必要がある。本論文では,提案したスイッチングセル回路のモデルを正確に焦点を当てた。レイアウト配線寄生インダクタンスとセンサもシミュレーションに統合した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
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電力変換器 
タイトルに関連する用語 (5件):
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