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J-GLOBAL ID：201702250017063490   整理番号：17A1722632

AlGaNナノワイヤ深紫外発光ダイオードとレーザ【Powered by NICT】

AlGaN nanowire deep ultraviolet light emitting diodes and lasers

著者 (3件)： Mi Zetian (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, USA) ,  Zhao Songrui (Department of Electrical and Computer Engineering, McGill University, Montreal, Quebec H3A 0E9, Canada) ,  Liu Xianhe (Department of Electrical and Computer Engineering, McGill University, Montreal, Quebec H3A 0E9, Canada)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CLEO/Europe-EQEC  ページ： 1  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： UV-Cバンド(100-280 nm)で動作する半導体レーザは,表面処理,生物農薬検出とマイクロエレクトロニクスと集積回路の生産を含む広範囲の応用にとって重要である。今日までが,これらの波長で動作する電気的に注入したAlGaN量子井戸レーザを達成し,転位と非効率的なp型伝導の大きな密度の存在に起因して挑戦的のままである。これに関連して,Si基板上に分子ビームエピタキシャル(MBE)成長と特性評価AlリッチAlGaNナノワイヤヘテロ構造の詳細な研究を行った。~239nmで電気的に注入したAlGaNナノワイヤレーザを示し,室温で0.3mAの非常に小さいしきい値電流をもつた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： マイクロエレクトロニクス ,  表面処理 ,  *レーザ ,  エピタクシー ,  分子ビーム ,  集積回路 ,  キャラクタリゼーション ,  *ナノワイヤ ,  波長 ,  量子井戸レーザ
準シソーラス用語： 閾値電流 ,  ヘテロ構造 ,  シリコンウエハ ,  *深紫外発光ダイオード ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： AlGaN ,  ナノワイヤ ,  深紫外発光ダイオード ,  レーザ