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J-GLOBAL ID:201702250052543431   整理番号:17A0982276

管中の管合成構造の半導体の化学的ゲーティング

Chemical Gating of a Synthetic Tube-in-a-Tube Semiconductor
著者 (6件):
資料名:
巻: 139  号:ページ: 3045-3051  発行年: 2017年03月01日 
JST資料番号: C0254A  ISSN: 0002-7863  CODEN: JACSAT  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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4-アミノ-2-フルオロ安息香酸から電気化学的にその場発生させた3-フルオロ-4-カルボキシベンゼンジアゾニウムテトラフルオロボレートにより二層カーボンナノチューブの外層のみを化学修飾して管中の管構造のカーボンナノチューブ(Tube2)を合成した。アミノ末端ssDNAをEDC/NHSにより外層に共有結合させて官能化Tube2を合成した。内層の電子伝導が外層の反応により化学的にゲーティングされることを利用して薄膜FETセンサを作製し,相補性DNAをハイブリダイゼーションにより検出した。検出感度は5nMで通常のFETセンサに匹敵した。ゲート電極およびゲート誘電体を必要とせず,微小な一点測定が可能であり,量産に適することを強調した。
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分類 (4件):
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原子・分子のクラスタ  ,  分析機器  ,  トランジスタ  ,  核酸一般 
物質索引 (2件):
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