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J-GLOBAL ID：201702250070533015   整理番号：17A0451460

電着により成長させた三元,単結晶Bi_2(Te, Se)_3ナノワイヤ【Powered by NICT】

Ternary, single-crystalline Bi₂ (Te, Se)₃ nanowires grown by electrodeposition

著者 (8件)： Kumar Praveen (Institut fuer Angewandte Physik, Eberhard Karls Universitaet Tuebingen, Auf der Morgenstelle 10, Tuebingen, 72076, Germany) ,  Pfeffer Michael (Institut fuer Angewandte Physik, Eberhard Karls Universitaet Tuebingen, Auf der Morgenstelle 10, Tuebingen, 72076, Germany) ,  Peranio Nicola (Institut fuer Angewandte Physik, Eberhard Karls Universitaet Tuebingen, Auf der Morgenstelle 10, Tuebingen, 72076, Germany) ,  Eibl Oliver (Institut fuer Angewandte Physik, Eberhard Karls Universitaet Tuebingen, Auf der Morgenstelle 10, Tuebingen, 72076, Germany) ,  Baessler Svenja (Institut fuer Nanostruktur- und Festkorperphysik, Universitaet Hamburg, Jungiusstrasse 11, Hamburg, 20355, Germany) ,  Reith Heiko (Institut fuer Nanostruktur- und Festkorperphysik, Universitaet Hamburg, Jungiusstrasse 11, Hamburg, 20355, Germany) ,  Nielsch Kornelius (Institut fuer Nanostruktur- und Festkorperphysik, Universitaet Hamburg, Jungiusstrasse 11, Hamburg, 20355, Germany) ,  Nielsch Kornelius (Leibniz Institute for Solid State and Materials Research Dresden, PO Box 270116, Dresden 01171, Germany)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 125  ページ： 238-245  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶,三元n型Bi_2Te_3 ySe_yナノワイヤは45nm,70nmおよび195nm直径の電位とパルス電気化学的析出により成長させた。ナノワイヤの電気伝導率と熱起電力を測定した。TEM分析は,ナノワイヤが70 80nm(公称45nm,#1),85 100nm(70 nm, #2)と265 325nm(195 nm, #3)のナノワイヤ軸と収量直径に垂直なc軸を持つ[110]方向に沿って成長することを証明した。Bi_2Te_3結晶構造の基底面に沿った電子輸送が得られた。ナノワイヤの化学組成は,TEM-EDX分光法で測定した。これらのナノワイヤは,励起電子特性を示し,低温でのShubnikov-de-Haas振動,別の論文にまとめ。調べた全てのナノワイヤは酸素汚染が単結晶,析出物は#3ナノワイヤでのみ観察された。#2の化学量論オフセットとゆらぎナノワイヤは#1と#3ナノワイヤと比較し有意に大きかった。熱起電力は,これらの構造データと相関し,最小熱起電力は#2ナノワイヤで見られと類似しており,大きな熱起電力は#1と#3ナノワイヤで見られた。#1と#2では約7.8×10~10cm~ 2と1.0×10~11cm~ 2のナノワイヤ転位密度がそれぞれ観測され,転位は成長方向に平行に位置した。#3ナノワイヤが,1.2×10~10cm~ 2の転位密度が観測され,転位は成長方向に垂直に配向している。これは転位の歪場によるフォノン散乱によって#3ナノワイヤの熱伝導率を減少させた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *単結晶 ,  酸素 ,  電気伝導率 ,  ゆらぎ ,  化学組成 ,  *ナノワイヤ ,  熱伝導率 ,  析出物 ,  熱起電力 ,  転位密度 ,  化学量論 ,  結晶構造 ,  *電着 ,  低温
準シソーラス用語： 電子輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ナノワイヤ ,  熱電材料 ,  電着 ,  透過型電子顕微鏡観察 ,  構造-特性関係

分類 (1件)： その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電着 ,  成長 ,  単結晶 ,  Te ,  Se ,  ナノワイヤ